吉姆林轉述的說法沒錯；這同時也是A7RII採用高成本的背照式（BSI）感光元件的原因之一。為了讓更多板友一起參與，我們用比較簡化的方式來討論BSI在A7RII上的影響。
和DSLR有各部獨立元件分工合作不同；MILC在感光元件端的負荷很重。同一塊感光元件要實時測光、實時取景、持續擷取全畫面資料、持續成像至EVF或LCD、計算對比對焦的反差……同時，A7RII內嵌了399相位對焦點，這意味著約347萬像素還要被用來減光計算相位差。
片幅越大、像素越多，這些資料量會越多，因此不意外A7系列的對焦速度、連拍速度等表現不算頂尖；甚至在靜音模式、連拍模式等要求速度的情況下，相機還會自動從14bit降為12bit輸出。
因此MILC要追趕DSLR，提升資料傳輸能力是必須面對的課題。
這些和BSI有什麼關係？
首先我們看一下FSI和BSI兩者簡略的差異：
前照式：光子→微透鏡→CFA(色彩過濾陣列)→布線層→【像素層】(光電二極體)
背照式：光子→微透鏡→CFA→【像素層】→布線層
BSI之所以能提升高感能力，並非開源（加強感光元件本身的感光能力），而是節流：藉由將布線層和像素層倒置，減少光子被中間線路給遮蔽或干擾而浪費掉的數量。
這個優點在小片幅比較明顯；例如：Sony的RX100一代，QE（光子轉換成電子的效率）只有54%，但二代改採BSI後，QE立即躍升至72%，能有更多光子被感知。
而因為內連線的寬度是固定的、不隨片幅變大而增加，因此片幅越大、布線層佔比越小，BSI提升的效益就越小。
但同時，BSI的成本會隨著片幅增加而等比級數成長。之前曾看過一篇文：BSI從1吋導入APS-C時，將良率等一切因素列入考量後，製造成本增加約12倍；相信全幅的成本應更驚人。
是故，Sony在A7RII上採用高成本、「相對」低效益的全幅BSI，有兩個遠超乎高感能力的重要理由：
（一）增加像素：
同片幅下，通常像素越多、高感能力越差；但BSI的採用能在相同片幅維持一定高感水準的前提下增加像素。例如：Samsung的NX1，像素間距比Nikon的D7200小8%、像素密度高16%，但高ISO的訊噪比依然能達到D7200的水準。
而A7RII在開發之初即確認要以增加像素為重點，原本預設的是4.6千萬或5千萬；最後雖為了配合Super 35mm格式的超採樣比例而讓像素降為4.2千萬，但仍比A7R高了許多。在至少以維持A7R高感表現的前提下，BSI的導入勢在必行。
（二）提升傳輸速度：
要提升感光元件端的資料傳輸速度，就是增加管線；但在FSI中增加布線層，勢必會造成更多光子被浪費。導入BSI後，布線層轉移到像素層之下，不再阻礙光子進入光電二極體，因此可以一定程度增加管線。
同時，Sony還仿效Samsung在NX1的作法，捨棄鋁線，改採傳導效率快40%的銅線，大幅提升了資料傳輸能力，而且更低的電阻能減少雜訊產生。其效益體現在非常廣泛的層面，例如：低果凍效應的高速快門、對焦速度、可直接機身直出4K……等。
這也可以解答原PO「為何畫素變高反而可以用靜音快門」。對照以往A7家族只有低像素（資料量較少）的A7S具全電子快門，這次A7RII的像素大幅提升（資料量更多），仍能使用全電子快門，可見官方宣稱的增速40%確實有實效。不過A7RII是否像A7S在靜音模式時會降級12bit輸出，值得關注。
另外值得一提的是，更少的布線層訊號干擾、更大的感光元件開口率，可以減少RF廣角鏡大角度入射光所造成的紅閘問題。
因此，總結來說，A7RII採用BSI，高感能力應不會有傳言中驚人的表現；事實上Sony官方也在訪談中確認了這點，並表示A7RII的高感約和A7R相同或稍佳（但不要忽略A7RII的像素高於A7R）。BSI在全幅上真正的影響力，應為：（一）維持一定畫質的前提下增加像素；（二）提升資料傳輸能力，全面改善MILC迄今的許多限制。
當然，BSI並非毫無缺點。除了成本之外，Sony在2008年即表示：BSI會增加色彩混雜、像素死點的問題。Aptina的報告中也指出：BSI會導致更多的暗電流，以及藍光波長的光子轉換效益減弱。從Samsung NX1看來，這些問題在現今似乎已獲得解決，因此應不致太過擔心。