英特爾發表 3D NAND 技術，SSD 硬碟容量可望翻倍
作者 Blake | 發布日期 2014 年 11 月 24 日 | 分類 Samsung , 晶片 , 零組件
http://img.technews.tw/wp-content/uploads/2014/11/intelssd-640x0-624x415.jpg
SSD 固態硬碟真的快，好厲害，但容量和價格總是讓人望之卻步，在 2.5 吋大小的空間中
，受限於記憶晶片的大小與容量，想要在同樣的空間裡獲得更高容量，就得採用更貴的晶
片。現在透過新的技術，SSD 的容量將可望再翻倍，價格也將更親民。
英特爾（Intel）與美光（Micron）開發出全新的 3D NAND 技術，3D NAND 的概念很簡單
，與其開發更高容量的單層記憶體晶片，英特爾與美光開發出最多可擁有 32 層的技術，
這樣的技術將可讓達到單一 MLC晶片 32GB 和單一 TLC 晶片 48GB 的高容量。
使用 3D NAND 技術的 SSD 硬碟已經進入試作階段，英特爾資深副總裁 Rob Crooke 在一
場與投資人的網路說明會中表示，他用來簡報的硬碟就是採用該技術的硬碟。Crooke 也表
示，使用 3D NAND 技術的 SSD 硬碟至少要在 2015 年中才會正式販售，可以預估的是初
期售價將會非常昂貴，首波推出的硬碟容量單位將會有數 TB，而主要銷售目標將鎖定在企
業採購上。
長遠來看，3D NAND 技術將可以降低 TB 等級容量 SSD 硬碟的售價，甚至會降到一般消費
者都能負擔得起的程度。同時，這項技術也可能被用來打造體積更小的固態硬碟，對筆電
和平板廠商來說更是一大利多。
除了英特爾和美光之外，三星也有類似的 32 層 V-NAND 技術，可在單一 MLC 晶片中儲存
10GB 的資料，同時也已投入生產。雖然三星的技術提供的容量，沒有像英特爾和美光那
麼大，但三星相信，三星在 2015 年底前將會有跨世代的技術可與 3D NAND 相庭抗禮。無
論如何，對消費者來說，都是樂觀其成。
資料及圖片來源：DIGITAL TRENDS
http://tinyurl.com/klm2wdo