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聯電TSV技術步量產，獲AMD繪圖晶片訂單
MoneyDJ新聞 2015-07-21 記者 新聞中心 報導
聯電(2303)昨(20)日宣布，用於AMD旗艦級繪圖卡Radeo R9 Fury X的聯電矽穿孔(TSV)技
術，已經進入量產階段，此產品屬於AMD近期上市的Radeon R 300繪圖卡系列。AMD
Radeon R9 Fury X GPU採用了聯電TSV製程以及晶粒堆疊技術，在矽中介層上融合連結AMD
提供的HBM DRAM高頻寬記憶體及GPU，使其GPU能提供4096位元的超強記憶體頻寬，以及遠
超出現今GDDR5業界標準達4倍的每瓦效能表現。
聯電市場行銷副總暨TSV技術委員會共同主席簡山傑表示，AMD致力於將頂尖GPU產品帶入
市場，具有豐富的成功經驗；這次量產里程碑彰顯公司與AMD在TSV技術上緊密合作下的成
果，並運用此技術的效能優勢，協助AMD強化其新一代GPU產品。而AMD採用的TSV矽中介層
技術，係於聯電設於新加坡的12吋特殊技術晶圓廠Fab 12i製造生產。
AMD資深院士Bryan Black 表示，此次順利將聯電TSV技術運用在AMD最新的高效能
GPU(Radeon系列)上，從開始研發以至量產階段，聯電皆採用創新技術打造客戶產品，這
也是AMD選擇聯電合作矽中介層及相關TSV技術的關鍵因素。
此外，聯電指出，AMD提供的GPU與HBM堆疊晶粒，皆置放於聯電TSV製程的中介層上，透過
CMOS線路重佈層(redistribution layer)與先進的微凸塊(micro-bumping)技術，這些晶
片之間可於中介層彼此連通，因此得以實現AMD Radeon R9 Fury X絕佳的效能與位面積。
http://news.cnyes.com/Content/20150721/20150721090023655973312.shtml
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