※ 引述《ExpressCrass (伊漂古瑞斯)》之銘言：
: 其實蘋果這次我不相信內部測試的時候沒發現這個問題
: 照理來說14奈米的功耗理當來說應該要小於16奈米的
: 我盡量用文組可以理解的方式說明
讓小弟獻醜一下，我覺得可以說的生活化一點。
原PO寫的很好，但文章過長部分內容已吃掉，請原PO見諒。
: 所謂的製程大小就是電晶體內閘極間(Source和Drain)length的長短
: 越短的話不但單位面積內可以放入更多的邏輯閘增加處理效能
: 也可以縮短等效電阻的總體功耗
: 現在主流的半導體元件還是MOSFET為大宗
: 至於技術方面就是如何去排列堆疊內部的電晶體
: 現在主流技術就是多閘極電晶體
: 也可以用多個電極來控制各個閘極
: 至於結構方面現在主流的方式是使用Fin-Fet這種電晶體結構
: 這可以有效的大面積節省了製成空間
: 縮短了Length長短就等於縮短了多少製成大小
***理論描述***
決定處理器速度的因素眾多，這次只提最相關的兩個，
1) 電晶體運作的電流通道(channel)，2) 控制電流通道開關的閘極(gate)。
大家可以把電流通道想成”水管”，控制電流開關的閘極想成”水龍頭”。
水管大一點，能流過去的水(電子/電洞)愈多(高性能)，但單價就要變貴。
水龍頭的檔水閥窄一點，可以越快打開(高性能)，但也會更難關緊(高漏電)。
所以除以上兩個主要零件，水管/水龍頭周邊的小零件，都對性能有影響。
***產業科技描述***
目前手機使用Qualcomm等公司 20nm製程(含以上)的Planar FET處理器，
核心電晶體閘極為傳統的單一平面設計，電流通道面積小且配合平面閘極，
可想像是小水管搭配一個水龍頭。
Samsung 14nm & tsmc 16nm製程生產的3D FinFET處理器，
核心電晶體閘極為新型的3面立體設計，電流通道面積小且配合3D閘極，
簡單說是大水管搭配三個水龍頭。
所以今天Samsung & tsmc都使用新型的系統，讓水可以流更快(更高性能)，
以及讓漏水更少(更低漏電)。但代價就是啥都用新的，自然單價是貴鬆鬆。
讓其他人短時間都跟不上來(UMC, GF, SMIC ………)
***問題描述***
今天幫水果公司作外包的tsmc & Samsung這兩個水電工(代工廠)，
對於水管跟水龍頭的工藝各有一套，但這次在製造新型的產品時，
Samsung一次把水管作大，又搭配新款窄版水龍頭(32 nm node -> 14)，
tsmc則是按部就班(28 -> 20 -> 16)，且搭配新款寬版水龍頭(16nm node)，
因為Samsung用窄的水龍頭，所以晶片效能本來就會比較快！
但代價就是漏水控制(漏電)也會比較困難，畢竟一次太多新零件，
每個都可能會造成漏水，Samsung作到這樣已經相當厲害了。
tsmc馬步扎穩，慢慢的改良產品，本來就可預料在漏水控制會勝出一籌，
但是這次tsmc會贏這麼多，倒是讓人有點始料未及。
Intel Atom雖然也是FinFET，但因不在此次混戰中，所以我們跳過。
由於我講的相當簡化，可能很多強者都很補充一下，再麻煩下手小力些XD
最後如果你還看的下去，再補充幾點：
1. Samsung不是挖了某t戰將過去，不是技術都帶走了嗎？
Ans: 高階主管有時只記得大方向，很多水管防漏的怪招他不一定知道。
2. 是否Samsung這次就被打趴了？而且防漏技術太弱短時間追不上？
Ans: 我相信Samsung已經在開發超低漏水的新技術了，很快就會追上來。
“開發”= “拆開”別人的水管就會”發現”該怎麼做才能防漏了。
這個領域大家都抄來抄去的，專利繞道設計沒在客氣的…
剛剛原本做了個G先生跟S小姐購買武功秘笈之後的夢，
但夢到武功原來到現在都練不出來，我就嚇醒了....