1.媒體來源:
中國時報
2.完整新聞標題:
美光內鬼攜密跳槽 聯電3主管遭訴
3.完整新聞內文:
記憶體大廠美商美光科技爆發內鬼案。原瑞晶公司王姓及何姓高階主管，在美商美光科技
購併瑞晶更名台灣美光後，涉嫌先後攜帶晶圓製程等相關機密檔案，跳槽聯華電子，王經
聯電戎姓協理指示，還將相關資料運用於聯電的F32 DRAM設計規則。台中地檢署依妨害營
業祕密法將聯電及何等3人起訴。
起訴書指出，41歲何男及42歲王男原為瑞晶員工，美國美光公司在2013年間收購瑞晶更名
台灣美光後；台灣美光對於製造DRAM晶圓的方法、技術、製程及設計等資訊，保存在具有
加密及管制存取功能的電腦伺服器。員工登入存取需輸入帳號及密碼，且自2016年4月間
起，不得使用USB PORT進行存取。
聯電與大陸晉華公司去年1月協議進行32奈米DRAM及32S奈米DRAM相關製程技術開發，完成
後將移轉至晉華公司，聯電未執行合作案因而在南科成立「新事業發展中心」。
2015年11月間，在美光擔任量產整合部課長的何男轉至聯電任職；去年4月，擔任「新事
業發展中心」專案技術二處製程整合部門經理。
另在美光任品質工程部副理的王男，去年初透過何投履歷給聯電，去年3月底收到錄取通
知。台灣美光在王離職後，清查內部資料，發現他離職前曾登入公司電腦伺服器，大量重
製營業祕密檔案，向檢調單位告發。檢調在今年2月傳訊何及王男，搜索聯電及戎姓協理
住處，查扣筆記本、手機、電腦、硬碟及合約等證物。
檢方查出，何在美光任職時，2014年2月曾簽立「保密及智慧財產合約」，約定離職時要
將所有營業祕密文件返還公司及銷毀副本；但何跳槽時，卻將相關資料帶往聯電。
另聯電戎姓副理曾要求王男參考台灣美光DR25 nmS設計規則，與聯電F32 DRAM設計規則交
互比對，標示美光穩定數值及參數等，使聯電加速設計規則內容，得以降低成本；王也因
表現得力，今年1月間晉升為Device經理。
王、何2人均辯稱相關持有資料都是供個人研究用，戎則供稱只要求王男提供設計規則意
見，檢方均不採信，並認定聯電並未積極採取防止員工侵害他人營業祕密，將聯電及王、
何及戎男3人一併起訴。
(中國時報)
4.完整新聞連結 (或短網址):
https://goo.gl/r7ecmh
5.備註: