https://www.nature.com/articles/s41586-020-2150-y
隨著IC塞的電晶體越來越多，工程師開始為銅線電阻產生的熱量、量子效應等問題所苦惱
。為此工程師想用沒有電阻問題的光子來傳輸數據。
矽是半導體電路主要材料，但是矽的電子與電洞複合為非輻射躍遷，不會釋放光子，因此
矽發光二極體的發光效率低，實用性也低:而太陽能電池的主要材料-砷化鎵，比矽貴又難
整合在矽晶片中。
為此有人提出將矽與鍺結合成六邊形結構，以產生具有直接能隙的材料，但是要製造六邊
形的矽結構並不簡單。
荷蘭 Erik Bakkers 用砷化鎵製的35奈米線作為支架，然後將鍺沉積在奈米線上使其厚度
增加 10 倍，接著再沉積矽，成功長出六邊形的矽結構。
該團隊接著改進晶體結構的缺陷和雜質問題，製造出更高品質的矽鍺合金奈米線，終於讓
奈米線透射光；實驗材料發出的光子能量從 0.3eV 調整到 0.67eV，幾乎可媲美磷化銦和
砷化鎵的光學性能。
使用光子代替電子能提高傳輸速度千倍又可以減少功耗。該團隊下一步將製造矽合金微型
雷射器，並試著與矽晶片結合。Erik Bakkers 表示若無意外，今年就做得出來。