極紫外光微影、超紫外線平版印刷術
https://en.wikipedia.org/wiki/Extreme_ultraviolet_lithography
https://i.imgur.com/vYt5R4I.png
（英語：Extreme ultraviolet lithography，亦稱 EUV 或 EUVL）
是一種使用極紫外光（EUV）波長的下一代微影技術，
目前使用 7 奈米，2020 年開始廣泛應用。
透過高能量、波長短的光源，將光罩上的電路圖案轉印到晶圓的光阻劑塗層。
EUV 光源波長比目前 DUV（深紫外線微影）的光源波長短，約為 15 分之 1，
因此能使用於線距更小光罩上的電路圖案的曝光上。
然而 EUV 光罩與傳統的光罩截然不同，當採用 13.5nm 波長的極紫外光微影技術時，
所有的光罩材料都是不透光的，
因此具複合多塗層反射鏡的光罩可將光罩上的電路圖案反射到晶圓上。
這種多層膜 EUV 光罩一方面可維持光罩的反射率，
但另一方面會影響臨界線寬、輪廓、刻線邊緣粗糙度、選擇性和缺陷控制方面，
而造成獨特的蝕刻效果。
有沒有 EUV 極紫外光微影製程的八卦？