自媒體誇大了，但也不是完全沒有那麽回事。
分享下。
1、中國的光刻機研製，現在是duv、euv同時在弄。duv肯定是傳統路綫，應該差不多了。而
euv是不同的3、4種技術路綫在同時弄，每條路綫都有不同的科研院所負責。
中科院長春光研所負責asml的那種euv。
2、光學、精細化工之類的，其實中國自身并不差。主要以前沒有不計成本也要弄出來的動
機，弄出來了也沒人會用。但現在因爲美國制裁，中國的半導體產業的市場完全被美國主動
讓出來了，那造出來自然就有意義，能夠迭代。
現在看，光源、光刻膠之類的都已經有中國企業弄出來了，還在最後的總裝過程中。
3、至於這個清華的版本，是腦洞最大的一個，現在已經進行實際預研建設了。
簡單説就是放棄小型化、集約化，從而換取技術上難度的下降。
asml的光刻機，在一個集裝箱中，有光源、有各種光學鏡片、有各種防氣體污染的管路。之
所以這個技術路綫，一是因爲asml的技術路徑依賴，二是因爲光刻機是商品，必須滿足遠洋
運輸、後期調試的需求。
清華的版本，是儅基礎設施弄，光源不在内置，而是如發電廠集中供電、中央鍋爐集中供熱
水一樣，用同步輻射光源做發光厰集中供應光。
因爲同步輻射光源的特性，功率可以做到asml的euv的幾十倍，而且是廣譜光。通過電磁場
的不斷偏轉，不同波長的光會從不同的接口被篩選出來，也就是理論上從1nm到100nm的光源
同時供應。
根據功率、光源波長等，一個光源厰能同時供應幾十個光刻厰，效率和電能利用率會很高，
哪怕單個厰的良率沒那麽高，成本也能平攤下來。
另外因爲沒有空間限制，可以省掉各种复杂的光路和精度极高的镜片组，直接来上千W的8nm
波长。
EUV的三大难点：光源、物镜和工作台，直接跳过前俩，只要保证双工作台的精度就行。
以前其實就有這種路綫，但因爲占地大、成本高、同時用電大三個問題，并不是asml這種企
業的選擇項。
但對於中國，這些缺點并不是問題，只要能造出來就可以。
占地大，中國就是地多，也不需要儅商品運輸，而且輻射光源有其他用處，可以一魚多吃。
成本高，對於現在一臺幾臺幾億美金來説，其實也不高了，而且可以同時大量起光刻厰，
中國佔半導體產業50%的需求量，只要能造出來就有市場。
用電大，中國自己發電就占全世界的30%，而且内蒙、貴州這些地方電多到用不出去。綜合
去算幾十個光刻厰同時運作，其實能耗和asml的光刻機差不多了。
只不過，現在是理論上很完美，也是中國諸多技術中的一種。但實際工程化卻不一定能很快
弄出來。現在最快的的還是傳統路綫。
但asml總裁之前説中國有很多聰明人，能想出不一樣的路綫，也是意有所指。