大陸清大那個團隊不是第一個想到這玩法的
這想法很久以前就有人想過
例如國科會底下的未來科技館
https://tinyurl.com/mr7umhef
技術簡介
現有的電漿EUV光源功率有限，加上污染嚴重，是邁向3奈米的主要障礙。加速器光源因為
完全潔淨 ，光源功率透過自由電子雷射機制可大幅提升功率超過千瓦，符合高量產需求
，是世界最大的半導體設備商積極尋求的替代光源。
科學突破性
"1.半導體將邁向3奈米極限，而關鍵瓶頸在於現有的電漿EUV光源功率有限且污染嚴重。
目前世界最大的半導體設備商正積極尋求同步加速器光源成為新替代光源，它的特性為完
全潔淨且可大幅提升功率超過千瓦。
2.加速器光源具超高亮度、波長可調、光源解析度高之特性，透過超低掠角X光繞射等技
術，可精準分析超薄奈米晶
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這是2017年的頁面
這應該是中研院那邊拍的影片(原始影片找不到不知那年拍的)
https://www.bilibili.com/video/BV1pX4y137Td
也是提到加速器未來會用在曝光機上，還有提到和ASML合作
前面那幾篇說用加速器來生產euv是浪費的，去跟中研院和ASML吵一下吼
說你們的研究就是浪費錢
另外這個大陸清大團隊他們的研究還上了nature
https://www.nature.com/articles/s41598-022-07323-z
euv協會組織也有刊出他們的簡報
https://www.euvlitho.com/2020/S52.pdf
他們是借德國的加速器來試驗，後面的照片有出現白人是德國人
從2019試到2021年
這個不知是不是他們未來要蓋的試驗設備
https://i.imgur.com/SF9WbFj.png
這個SSMB設施應該是確定會蓋了，這是五月的公告，現在應該都動工了
https://i.imgur.com/wzTvP4d.jpg
結論就是大陸在雄安新區蓋的應該還是試驗設施，為下一代的EUV設備進行鋪路
半導體生產不是你曝光機造出來就行了，你後段工藝也要一起跟著配合
ASML的EUV設備功率是250~300W，這個有1KW以上功率，光阻液就不可能沿用
當年ASML開發EUV設備不是只有他一家下去做，還找了上下游設備廠一起做整個工藝流程
大陸這東西要出工程樣機至少五年以上
不過這東西造出來會很可怕，因為他們光源線寬可以覆蓋1~100nm
等於這設備可以一次把現在duv和euv設備的曝光環節所需精度都包含在內了
只是全都用euv來曝光就是了
另外，過去大陸有關半導體設備的影片，隨便亂吹的都不會管，但只要你說到點就會被砍
大陸自媒體現在瘋狂做ssmb的影片，很有可能不是大陸現階段主要技術方向
例如下面這個是華中科大的技術方案(大陸提出相關euv技術方案有很多)
https://i.imgur.com/dWzOk8K.png
相關資料非常少，網路上幾乎沒看到什麼資料
另外我追的一個消息來源2月就講了這件事
https://i.imgur.com/2VjjOYH.png
他後面有講一點東西，不過都有隱誨提到euv工程樣機己經出來了