獨特方式突破美管制 彭博：中國長鑫記憶體技術取得進展
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自由時報
〔編譯魏國金／台北報導〕彭博報導，儘管美國以出口管制來抑制中國科技實力，但中國
記憶體巨頭長鑫存儲仍取得晶片製造技術的進展。
加拿大研究公司TechInsights披露，在中國記憶體設備製造商光威科技（Gloway）提供的
記憶體模組中發現的長鑫DDR5 DRAM，其所需的先進製造技術是在中國市場上前所未見的
。
TechInsights一名代表說，「這意謂他們已找到獨特的方法，能以商業規模設計與製造該
晶片；TechInsights之前預期要到2025年末或2026年初才能看到此記憶體」。
這項發現突顯，中國企業在面對美國廣泛的出口管制時，仍能發展其晶片製造韌性。相關
出口管制禁止美國企業未經華府批准，向中國客戶提供製造18奈米以下DRAM晶片的技術或
設備。長鑫最新晶片為16奈米。
2020年上市的DDR5目前是業界龍頭SK海力士與三星電子的主力DRAM產品，可用於生產輝達
人工智慧（AI）加速器所需的高頻寬記憶體晶片（HBM）。
TechInsights認為，長鑫最新的技術仍落後韓國這兩大廠，以及美國美光科技約3年。
TechInsights的研究也發現，中國長江存儲與業界巨頭抗衡的能力有所提升。