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科技新報
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40 奈米以下全斷供！中國成熟製程快守不住，為何日本是壓垮關鍵？
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日本經濟產業省宣布 7 月 23 日起將 23 種半導體製造設備列入出口管制措施，令中國
半導體業者相當緊張。其實比起美荷夾殺，日本限制半導體設備出口，才是衝擊中國晶片
業發展的關鍵，很可能重創低階晶片製造。
了解壓垮關鍵前，必須先知道日本這次管制哪些設備出口。
日本出口管制有哪些設備？
日本列入出口管制的 23 個設備品類，包括 1 項熱處理設備、1 項測試設備、4 項微影
曝光設備、3 項蝕刻設備、3 項清洗設備、11 項薄膜沉積設備。
4 項微影曝光設備包括 EUV 曝光薄膜設備、EUV 曝光的薄膜製造設備、EUV 曝光光阻劑
塗佈顯影設備（Coater Developer），及 193 奈米以上光源波長乘以 0.25 後數值除以
孔徑值為 45 以下的光學曝光系統（包括 Nikon 浸潤式 ArF 曝光設備）。
蝕刻設備包括矽鍺（SiGe）／矽（Si）選擇性比率為 100 以上的濕法蝕刻設備；此外還
有薄膜沉積設備，日本政府另外拉出 11 點解釋哪些設備列入管制。
從產品應用面看，主要涉及極紫外光（EUV）相關產品的製造設備、3D 堆疊記憶體的蝕刻
設備，以及製造 10~14 奈米以下先進晶片設備。
日本設備商出口前，必須申請許可證
新限令沒有明確將中國等特定國家和地區定為管制對象，除針對友好國家等 42 個國家和
地區外，其餘需個別許可，所以出口中國仍受限。
日本經濟產業大臣西村康稔強調，此舉不是與美國協調的結果，也不是為了遏制中國。出
口管制適用於所有地區，非針對特定國家，這項政策是為了阻止先進技術用於軍事目的。
美、荷出口限令有哪些？
美國出口限令分為三部分，為邏輯 IC 14 / 16 奈米以下製程」、記憶體製程 DRAM 18
奈米以下、NAND 快閃記憶體 128 層以上。此外，任何美國人（含美國公民、持綠卡的永
久居民或依美國法律成立的法人實體）未經許可，不得協助中國「開發」或「生產」高階
晶片，否則將失去美國公民身分。
荷蘭新出口管制涉及最先進的浸入式「深紫外光微影」（DUV）設備，半導體設備龍頭
ASML 預估新管制包括最先進沉積和浸潤式微影（immersion lithography）設備，將為
最先進浸入式 DUV 系統申請出口許可證。
不過荷蘭政府尚未界定「最先進」設備，也沒有釋出更新消息，目前只預定 7 月中公布
細則。ASML 可能是 TWINSCAN NXT：2000i 及之後推出的浸入式設備。
比起美國，日本限令對中國衝擊更大
外媒《金融時報》（Financial Times）指出，美國、荷蘭宣布限制後，中國業者本來還
有把握，認為不會影響中國製造能力，但日本出口限令一出，中國業者開始緊張，「比起
美國去年規定，日本出口管制更令中國不安」，因日本設備更常用於成熟製程。
智慧家電、汽車及電信設備都採用 28 奈米以上製程，日本目前規範如 Nikon 浸潤式曝
光機等設備，都包含最基本 45 奈米晶片。日本只允許開放 193 奈米以上波長、乾式設
備，意味中國最多可能只能做到 40 奈米等級，若要發展 28 奈米成熟製程也有難度。
中國政府官員透露，ASML 預估只會限制先進設備製程，但日本會更廣泛限制 Nikon 產品
出口，影響成熟製程供應鏈。
業界人士預估，隨著封殺網成形，中國要取得 40 奈米以下設備可能更困難，即使日本沒
完全限制，但申請許可是逐件審核，恐嚴重影響擴產計畫。
中國本土設備商部分，上海微電子曝光設備製程僅發展到 90 奈米，雖然極力攻克 28 奈
米曝光機，但已被美國列入實體清單，研發能力受限。即使中國想突破重圍，重新開發和
轉換設備也沒那麼容易c
。
5.附註、心得、想法︰
※ 40字心得、備註 ※
中國半導體被日本掐住軟肋
可能連成熟製程發展都受限
不知道接下來會不會跪舔日本
還好台灣不是被中國統治之下
不然賴以為生的半導體產業必然受到重創
但台灣還是有一群人,9.2 統派 想把台灣鎖進中國
是不是該再想想呢?
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