※ 引述《ShangLai (Shang)》之銘言：
: 這邊提供幾個夢到的消息：
: 首先，台積電與高通已經鬧翻了，主因還是在價錢。台積電因為有了蘋果做後盾，
: 不願再任高通予取予求，所以高通憤而轉向三星14nm，所以S820由三星代工是確定的。
: 第二，蘋果promise給台積電的量非常大，所以台積電才敢與高通鬧翻。
: 之前聽到的韓媒說法, 聽聽就好.
: 第三，20nm的後段製程與16nm的後段幾乎一樣，兩者幾乎相同。
: 邏輯製程的良率取決於後段製程，所以等到16nm量產，其良率很快可以ramp up到
: 20nm的水準.....
1. 20nm的製程本來就比較耗電,發熱量比較高.
S810就是用 TSMC 20nm, 原本就先天不足,
然後高通big.LITTLE學費還沒繳夠,所以後天不良.
造成現在Qualcomm Snapdragon 810被電的體無完膚的慘狀.
製程上的缺點當然可以透過架構來修補,
所以蘋果A8雖然用了比較差的20nm製程,
還是沒有明顯過熱/耗電過大的現象.
但是有些產品的特性是後天都救不了的,
Nvidia就絕對不會出20nm 製程GPU.
當初就已經說會直接28nm => 14/16nm.
2. TSMC 20nm BEOL 跟 16nm BEOL基本上都是一樣的,
pitch 80 + LELE double pattern.
20nm FEOL 跟 28nm FEOL基本上差不多, HKMG,
問題是Planar Device在20nm就是漏電流問題難以解決,
所以才會比較耗電,發熱量高.
16nm FEOL 先有 16FF => 16FF+ => 16FFC (in developing)
16FF輸給 Samsung 14LPE, 16FF+就補回來,
但是三星也還是會有新一代的FF,
所以這裡的勝負還在拉鋸中.
三星最近主攻FD-SOI,這個會對28nm device有重大改進,
https://www.semiwiki.com/forum/content/4264-fd-soi-samsung.html
如果成功有可能會對TSMC 28nm有衝擊.
但是到目前為止, TSMC 跟 Samsung的 14/16nm製程
本質上都差不多,沒有啥麼重大的差異.
TSMC 16nm對上 Samsung 14nm的優勢,
主要建立於TSMC 16nm BEOL已經磨得很亮,
所以良率的提升會比28nm => 20nm快.
3. 到了10nm, TSMC跟三星就可能走上不同道路了.
https://www.semiwiki.com/forum/content/4510-tsmc-processes-galore.html
TSMC BEOL 會走 SADP/SIT, 這製造成本會比LELE DP低,
良率也會比較高,但是設計規範會囉嗦很多,所以有好有壞.
SADP原本主要用於規律性的設計, (如DRAM/SRAM),
這個一看就知道是三星的當家技術. (也就是說三星在這方面也非常強).
三星的10nm目前公開的訊息不多,
所以能講的就不多,
雖然在2月已經有公開的10nm demo chip來展現技術.
以目前的資料看(可能還會有變化),
10nm TSMC 底層金屬比較密,但是電晶體大不少.算起來
密度差不多,但是三星略勝. 3072 vs 3220, 越小越好.
但是都輸Intel輸很大. 性能方面無分析資料.
https://www.semiwiki.com/forum/content/3884-who-will-lead-10nm.html
Density Comparisons
130nm 90nm 65nm 45/40nm 32/28nm 22/20nm 16/14nm 10nm
Intel 111,650 57,200 46,200 38,800 12,656 8,100 3,640 2,101
TSMC 105,400 57,600 28,800 20,736 11,590 5,829 5,760 3,220
GF/S 122,500 60,025 36,000 15,093 8,640 4,090 4,992 3,072
4. 綜合以上,回到MobileComm主題,
可以預言Apple A9/A9X 跟A8比,無論在功耗/效能上
都將會有明顯的進步.
S820 如果Qualcomm架構上有學到教訓,也會比S810好很多.
但是目前就只能看Exynos 7420獨霸一陣子.