1. 一般來說 類似的技術或相近的製程
閘長越短 漏電流越大 但效能好一點 面積小一點
(這麼說不代表台積漏電必小於三星 只是正常情況有可能是這樣子)
不過差到25%表示製程或材料哪裡不夠成熟了...
2. 同樣的製程下 能微調製程條件使漏電流或效能改變
但這通常是天平的兩端
Laluth板友說的超頻則是在固定的製程下改變電壓及時脈達成
這種做法也有 端看哪種做法可以取得良率/效能/漏電的平衡
超頻不是影響良率的主因 但也可以是條件之一
3. 晶片通常至少會做兩道測試
一則是晶圓未切割時以探針注入測試訊號
一則是切割後 封裝再注入測試訊號
嚴謹的產品在所有元件上去後會再做燒機測試
良率在第一道測試通常已經決定9成以上
能不能出貨並不是非得在封裝後才知道
越早知道能刷掉當然就不會留到更後面 因為成本會上升
4. 承上 IC設計廠不一定是賣切割好的IC給買方
也可能是整片晶圓出給買方 買方自己做封測
怎麼買賣還是要看雙方商業模式而定
說不定三星為了衝產能利用率 買flash/dram送cpu也是有可能低
5. 在良率測試被刷掉的東西不見得就沒用
例如cpu跟gpu因為有作產品區隔
所以小瑕疵的IC可透過屏蔽的方法當次等貨賣掉
手機晶片未來也應該會有這種狀況發生

所以808其實是做壞的810嗎? (誤