《電腦設備》智慧手機進入大容量時代，群聯搶卡位
2018年02月27日 13:41 時報資訊 【時報記者王逸芯台北報導】
群聯(8299)為因應智慧行動儲存市場進入128GB、甚至是256GB的大容
量等級需求，群聯(8299)今(27)日正式宣佈eMMC/eMCP/UFS控制晶片
將全系列支援美光64層3D NAND Flash，亦已準備次世代96層技術研
發，不但協助客戶在智慧行動裝罝市場擴大產品戰線，亦為客戶卡位
車聯網商機作好準備。
2018年全球行動通訊大會(MWC)登場，應用於智慧型手機的AI運算、
AR虛擬應用、身份辨識、GIF貼圖、4K HDR影片錄製以及環繞音場等
創新功能成為各大國際手機廠發表新機之亮點，為能滿足這些多媒體
功能儲存需求，今年度的智慧新機之內嵌式記憶體容量全面躍升至
128GB、甚至是256GB的儲存容量等級。
從各國際品牌手機廠2018年將推出的旗艦機種來看，非蘋陣營的國際
智慧新機之內嵌式記憶體eMMC/eMCP的儲存容量規格提升至128GB，至
於全球前兩大智慧型手機廠主攻之旗艦新機則不約而同皆搭載256GB
的UFS內嵌式記憶體，除了為2018年智慧型新機大容量儲存規格賽正
式鳴槍開跑，亦同步宣告64層甚至更高層數的3D NAND Flash技術正
式接棒成為快閃記憶體的主流製程。
群聯表示，從快閃記憶體技術演進來看，當容量需求快速增加，甚至
是倍增之時，2D的平面生產技術已不能滿足終端應用之需求。就2D之
NAND Flash之限縮每個儲存單位、同時增加同一層儲存密度的微縮技
術已逐漸接近物理極限，因此導致最高容量大多停留在128Gb(16GB)
之容量水準。至於3D 之NAND Flash技術，則透過垂直立體堆疊儲存
單元的方式，突破容量上限的瓶頸，其最高容量將可倍增至
256Gb(32GB)，並可提升讀寫資訊之效能。
有鑑於市場應用，再依據目前各大國際快閃記憶體製造大廠的3D
NAND Flash製程演進來看，群聯電子看好，64層的3D NAND Flash將
為今年最大宗之主流技術，因此除了領先同業推出的可支援該製程技
術的高速UFS控制晶片PS8313之外，包括既有熱賣的eMMC/eMCP
PS8226等全系列控制晶片皆同步支援東芝陣營及美光陣營的64層3D
NAND Flash，另方面，進一步支援次世代的96層3D NAND Flash之先
進製程技術的控制晶片亦有望在年底接棒推出，力求以全方面且長期
完整的產品規劃滿足智慧行動裝置、車聯網等客戶擴大全球市場佈局
之需求。
(時報資訊)
http://www.chinatimes.com/realtimenews/20180227002445-260410
群聯電子是台灣的控制晶片大廠，也是交大現在電機系的榮光，以前應該是電控系的
當然在手機邁向大容量時代不能缺席，我想某些程度也算是台灣之光吧
雖然老闆不是台灣人，總愛說自己不用當兵XD