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NTUEE110HW
[問題] 積電作業.......
作者:
freedom76912
(KHAKI)
2009-04-03 21:11:48
Maximum P+ diffusion to nearest N+ pick-up spacing (inside N-Well) is 20um
(I/O, RAM, ROM, capacitor and diode are expected)
煩請知道的同學解惑(拜求)
作者:
haman
(...)
2009-04-04 00:33:00
你的MOS有畫body嗎??? PMOS要用N+畫body在旁邊 反之NMOS也是以確保body跟source電位一樣
作者:
freedom76912
(KHAKI)
2009-04-04 10:26:00
歐歐 感謝樓上 不過我的只有綠色勾勾 沒寫0 error(投影片寫的是"0 ERROR IN 0 CHECKS")
作者:
haman
(...)
2009-04-04 14:09:00
我的也沒有啊
繼續閱讀
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