http://chinese.engadget.com/2015/08/05/toshiba-flash-chips-double-capacity/
作者： ERIC CHAN @ERICHANKC 47 分鐘前
隨著技術的成熟，我們所拍的照片、影片或是音訊都變得愈來愈大，
對於速度的要求也越來越高（用過 SSD 之後就回不去了的概念），
讓儲存媒體都帶來極大的壓力。
繼上週 Intel 和 Micron 發佈的 3D 記憶體，
東芝和 SanDisk 也在今天公布一款新的 256Gb 快閃儲存晶片，
它是以數月前公佈的 15 微米製程、48 層堆棧式的設計之上，
加入 3-bit 技術（首見為 Samsung）來把儲存容量翻倍。
估計新晶片將會為智慧型手機、SSD 和其他電子裝置帶來更快、更可靠的儲存媒介。
可是 Intel 和 Micron 合作研發的 256Gb 晶片「只是」堆棧了 32 層而已，
所以他們所開發的技術相信會輕易超越東芝和 SanDisk 的這款。
而且 Micron 曾稱他們的技術最終可達 10TB 容量之多，價錢還會更便宜呢。
無論如何，最終得益的都會是我們消費者，畢竟這都是產品來的。
回到新聞的主角吧，東芝正為新晶片在日本興建新的工廠，
預計 2016 年就會正式投產上市。
經由： Engadget
http://www.engadget.com/2015/08/04/toshiba-flash-chips-double-capacity/
引用來源： Toshiba
http://goo.gl/SvNAMX