涉嫌侵犯FinFET專利，韓國科技院把三星、高通及GF告上法庭
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除了智慧手機知名之外，三星還是全球重要的半導體公司，在2016年TOP20半導體公司中
營收排名第二，僅次於Intel，領先于TSMC台積電。 在FinFET代工上，三星也比TSMC公司
搶先量產14nm FinFET工藝，不僅為高通代工驍龍820/821處理器，還把14nm工藝工藝授權
給了AMD好基友GlobalFoundries公司。 三星為何在FinFET工藝上領先？ TSMC早前指責三
星剽竊了他們的工藝技術，現在韓國KAIST（韓國科學與技術學院）把三星告上了法庭，
指控他們侵犯了KAIST的FinFET專利，一同挨告的還有高通和GlobalFoundries兩家。
雖然普通人沒聽過KAIST（韓國科學與技術學院）的名頭，不過他們去年是非美國院校在
美國申請專利第二多的高校，申請了105項專利，排名第一的則是中國清華大學，申請了
185項專利，因此KAIST在科研實力上還是很有底氣的，他們這次通過管理專利的子公司
KAIST IP在美國德州聯邦法院提起了法律訴訟，指控三星、 GF及高通侵犯了他們編號為
6885055的美國專利——一種雙柵極FinFET設備及其製造方法。
根據KAIST所述，2001年還在韓國圓光大學任職的教授Lee Jong-ho提出了這種技術，三星
當時對FinFET工藝並沒有任何興趣。 不過在Intel率先推出類似FinFET工藝的3D電晶體技
術之後，三星邀請了Lee教授給自家工程師演講，獲得了這種專利技術。
KASIT IP指出，三星盜用Lee教授的技術可以節省大量開發時間和成本，但卻沒有支付任
何專利費。 他們指責三星還在持續侵犯該技術，絲毫不考慮Lee教授的權益或者適當的補
償。
由於三星的14nm FinFET工藝不僅自己用，還授權給了GlobalFoundries公司，並為高通公
司代工處理器，因此後面兩家也一起被告上了法庭。
對於這些指控，三星公司表示正在調查指控情況，他們強調從2000年代初期就開始研發3D
半導體技術，擁有FinFET相關專利。
PS：早前TSMC指責三星挖走了TSMC前研發部門高管Liang Mong-song，後者帶著技術資料
跳槽，他們認為三星在14nm FinFET工藝上進展迅速就是靠著TSMC的技術，不過TSMC跟三
星之間只是打了嘴仗，TSMC並沒有起訴三星。 這次KAIST不同了，直接向法院起訴了，顯
然是有備而來。
另外，FinFET技術的發明人是胡正明教授，不知道他申請了多少專利。

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