SK Hynix將量產全球堆疊層數最多的3D NAND快閃記憶體：72層
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除工廠升級之外，SK Hynix還將推出新一代3D NAND快閃記憶體，堆疊層數將從目前的36
、48層提升到72層，一舉超過三星、美光及東芝新一代64層堆疊3D快閃記憶體，預計在明
年下半年正式量產。
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2016年上半年各NAND廠商代表性的3D快閃記憶體規格及堆疊層數
三星發展3D NAND快閃記憶體最早，目前已經推出了三代V-NAND快閃記憶體，最高堆疊層
數是48層，下一代3D快閃記憶體是64層堆疊，今年底開始量產。東芝/西數則是BiCS類型
的3D快閃記憶體，堆疊層數是48層，下一代也是64層堆疊，美光/Intel的3D快閃記憶體進
度最晚，堆疊層數也是32層，下一代則會提升到64層堆疊，美光在新加波的10X晶圓廠年
底將會量產64層堆疊快閃記憶體。
SK hynix的3D快閃記憶體發展了兩代了，32層堆疊的算是實驗性的，今年11月份正式量產
48層堆疊的3D快閃記憶體。不過根據韓聯社的消息，SK Hynix的下一代3D快閃記憶體也在
路上了，2017年上半年完成晶片設計，2017年下半年正式量產，生產廠就是去年才建成的
利川市M14晶圓廠。
從層數上來看，SK Hynix如果明年真的能順利量產72層3D快閃記憶體，那麼他們的堆疊能
力就超過了其他三家，後者明年的3D快閃記憶體還是64層堆疊的，不過三星此前已經提到
了96層堆疊的3D快閃記憶體，早已在研發中，只是尚未有確定的量產時間表。
資料來源：http://www.expreview.com/51555.html
XF編譯：http://www.xfastest.com/thread-181370-1-1.html
尚未確定量產時間 吊我胃口真不應該
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