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[情報] Intel 10nm工藝會引入新材料「鈷」,電遷
作者:
Quentin5566
(睏丁轟)
2017-12-12 15:00:35
標題:Intel 10nm工藝會引入新材料「鈷」,電遷移性能可提升1000倍
來源:http://www.expreview.com/58161.html
內文:https://i.imgur.com/64PHGwx.jpg
看來這應該是intel真正的大絕招
不過還是希望下一代不要開蓋就能穩穩的超
8代的導熱問題好像比以前更明顯 該是時候換材料了...
作者:
sunandrew321
(sunandrew321)
2017-12-12 17:39:00
簡單來說就電跑更快啦
作者:
steven800308
(旅神Traveler)
2017-12-12 18:56:00
普通鈷沒放射性
作者:
mailforclass
(失意體前屈)
2017-12-12 19:26:00
EM好,可靠度好,細線寬的不容易用久了開路。Mobility好,元件開關速度快,效能變好
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