三星宣佈量產 90 層堆疊的第 5 代 V-NAND 快閃記憶體
https://finance.technews.tw/2018/07/11/samsung-v-nand-with-over-90-layers/
作者 Atkinson | 發布日期 2018 年 07 月 11 日 10:30
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全球記憶體龍頭廠三星 10 日宣佈，
正式量產堆疊數高達 90 層的第 5 代 V-NAND 快閃記憶體。
該項產品不但堆疊數為當前最高者，而且還首發 Toggle DDR 4.0 傳輸介面，
使得傳輸速率達到了 1.4Gbps。
三星的 V-NAND 是 3D NAND 快閃記憶體中的一種。
目前市場中的主力，還是堆疊數 64 層的第 4 代 V-NAND 快閃記憶體。
如今，三星宣布正式量產的是第 5 代 V-NAND 快閃記憶體，
其核心容量 256Gb 並不算高，但是各項性能指標缺不能小覷。
其中，它是業界首發支援 Toggle DDR 4.0 傳輸介面的 V-NAND 快閃記憶體，
傳送速率達到了 1.4Gbps，
相較過去 64 層堆疊的 V-NAND 快閃記憶體來說，足足提升了 40%。
而除了採用新的傳輸介面以提升速率之外，
第 5 代 V-NAND 快閃記憶體的性能、功耗也進一步優化。
其工作電壓從 1.8V 降至 1.2V，同時寫入速度也是目前最快的 500us，
這個速度也是比上一代 V-NAND 快閃記憶體提升了 30%。
至於，在讀取速率上的回應時間也縮短到了 50us。
據了解，三星的第 5 代 V-NAND 快閃記憶體，內部堆疊了超過 90 層 CTF Cell 單元，
是目前市面上堆疊層數最高的 3D NAND TLC 架構快閃記憶體。
這些存儲單元通過微管道孔洞連接，每個孔洞只有幾百奈米寬，
總計包含超過 850 億個 CTF單元，每個單元可以存儲 3 位元資料。
此外，第 5 代 V-NAND 快閃記憶體在製程技術上也做了改進，
製造生產效率提升了 30%。
而藉由先進的製程技術，使得每個快閃記憶體單元的高度降低了 20%，
減少了單位之間干擾的發生率，提高了資料處理的效率。
三星目前正在加強第 5 代 V-NAND 快閃記憶體的量產，以便滿足高密度存儲領域，
包括高效能運算、企業伺服器、及行動裝置市場的需求。
而除了第 5 代 V-NAND 快閃記憶體的量產之外，
三星目前也還在擴展 V-NAND 快閃記憶體，
準備推出核心容量高達 1Tb 的 NAND 快閃記憶體，及 QLC 架構的快閃記憶體產品，
繼續推動下一代快閃記憶體發展。
（首圖來源：三星 官網）