中國首款自研DRAM晶片 長鑫存儲傳年底量產
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2019-06-14 05:30
日經新聞報導，中國長鑫存儲技術正重新設計記憶體晶片DRAM，計畫年底開始少量量產。
圖為東芝記憶體模組（彭博）
https://i.imgur.com/qAn9h8J.jpg
〔編譯楊芙宜／綜合報導〕
美中科技戰延燒之際，日經新聞報導，中國正極力增加半導體核心技術的自給自足；
2位知情人士透露，
中國長鑫存儲技術（Changxin Memory Technologies）
首款自主設計DRAM（動態隨機存取記憶體）晶片準備年底開始部分量產；
長鑫存儲正重新設計DRAM，以讓用到的美國技術最小化，
避免侵權和成為美國打擊的對象。
長鑫存儲成立於2016年，先前稱合肥長鑫，
和福建晉華、長江存儲為「中國製造2025」的3大半導體國家隊。
晉華去年被美國處以貿易黑名單的禁售制裁、被起訴竊取商業機密後，
處於營運停止狀態，長鑫若年底量產成功，
將是首家有望和三星電子、美光科技等兩大DRAM鉅子競爭的中企。
消息人士透露，長鑫在合肥DRAM廠已投資約80億美元，打算在年底量產，
最初每月預計生產約1萬片晶圓，
「這將須經歷某一學習曲線，但該公司計畫今年底前有一些量產」。
DRAM應用在筆電到智慧手機、資料中心伺服器、連網汽車等數億裝置上。
研究機構CINNO分析師Sean Yang表示，相較目前全球每月生產130萬片晶圓，
上述數字很少，但對還沒有本土自製DRAM晶片的中國來說，這是項重大突破。
去年全球DRAM市場價值達996.5億美元，
三星電子、SK海力士、美光科技等三大廠掌控了95%產量。
被視美下個可能打擊對象
據透露，長鑫生產仍依賴美國的設備及設計器材供應商，無法完全排除美國制裁威脅，
但重新設計DRAM將使它隔絕於竊取美國智慧財產的指控，避免淪落晉華下場；
長鑫被廣泛視為是美國華府下個可能打擊對象，正採取額外步驟防範被控侵權，
也替中國提供晶片斷源的備案。
傳技術來自德國英飛凌
報導說，長鑫DRAM設計基於德國晶片商英飛凌旗下DRAM大廠
奇夢達（Qimonda，2009年破產）技術，
但世界頂尖半導體廠商仍需用到美國設備、原料、電子設計自動化工具，
仍很難完全避開。
長期恐衝擊DRAM價格
分析師認為，若長鑫加快增加產能，未來2年或許將進一步衝擊已被壓低的DRAM價格。