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2019-06-14 23:19經濟日報 記者鐘惠玲、張瑞益／台北報導
利基型記憶體廠華邦電昨（14）日召開股東會，總經理詹東義表示，
今年希望對主要客戶的滲透率持續成長，
自行開發的20奈米製程DRAM技術將於明年底到位，未來將在高雄新廠投產。
現階段全球具備自行開發DRAM製程技術者，僅有三星、SK海力士與美光。
詹東義說，華邦電是全球第四家擁有DRAM技術的公司，
專攻高品質的中低容量產品，目前DRAM市占率僅0.7%，成長空間大。
華邦電董事長焦佑鈞指出，去年多項營運數字創新高，
但今年以來市場需求因美中貿易戰等因素放緩，
但有AI及5G等新技術創造的新應用需求，對未來市場長期需求看好。
焦佑鈞認為，記憶體供不應求時期已結束，今年是萎縮的一年，
去年第4季到今年第1季的市況確實差，下半年應會比上半年好。
以稼動率來看，今年第1季低於80%，目前已回升到約85%水準。
詹東義說，以出貨顆粒總數來計算，對華邦電來說，最壞的情況已過，
雖然隨著市況，平均銷售單價仍下滑，但會持續穩固市占率。
華為近期遭美國政府抵制，詹東義強調，華邦電有很多客戶，華為遭抵制，
消費者可能轉向採購其他廠牌產品，若這些廠牌也是華邦電客戶，
等於需求不變，對華邦電影響不大。