SK 海力士 M16 廠竣工，6 月量產第 4 代 10 奈米級 DRAM
https://technews.tw/2021/01/29/sk-hynix-m16-plant-completed/
作者 MoneyDJ | 發布日期 2021 年 01 月 29 日 16:15 | 分類 晶片 , 記憶體 , 零組
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南韓第二大半導體廠 SK 海力士（SK hynix）29 日宣布，因應市場需求回升，
該公司將擴充產能規模，新建的 M16 產線預計今年 6 月啟動量產，
以進一步擴大 DRAM 記憶體供應。
韓聯社報導，SK 海力士今日表示，位於首爾南部利川市（Icheon）的 M16 廠，
計劃 2 月 1 日舉行竣工儀式。
SK 海力士於會議透露，利川 M16 廠將從今年開始進行試產，並視情況調整，
預計 6 月就能完成試產，接著正式展開大規模量產。
SK 海力士為全球市佔率第二高的 DRAM 製造商，
僅次 DRAM 龍頭三星電子（Samsung Electronics）。
2018 年 12 月，SK 海力士開始動工興建 M16 晶圓廠，
斥資高達 15 兆韓圜（約 134 億美元，將採用極紫外光（EUV）微影技術，
生產第四代 10 奈米級製程（1a 奈米）的 DRAM 產品。
SK 海力士稱，已確保 EUV 的供應無虞，
並正在與 EUV 製造商就 EUV 設備的長期供應進行密切討論。
根據規劃，M16 廠的 EUV 設備初期將用於生產第四代 10 奈米級 DRAM，
之後全面用於生產第五代 10 奈米級（1b 奈米）DRAM。
截至 2020 年，以第三代 10 奈米級（1z 奈米）
和第二代 10 奈米級（1y 奈米）製程打造的 DRAM，
約佔 SK 海力士 DRAM 總產量的 40%，計劃今年將比率提升到至少 75%，
同時啟動 1a 奈米製程，產能將比 1z 奈米製程高出 40%。
SK 海力士會議時表示，2020 年資本支出為 9.9 兆韓圜，
低於 2019 年的 12.7 兆韓圜。
SK 海力士未提到今年的資本支出目標，但表示跟去年相比，
設備資本支出的增幅預料有限。
根據南韓產業通商資源部（Ministry of Trade, Industry and Energy）
及南韓半導體業協會（Korea Semiconductor Industry Association）的報告，
2021 年南韓晶片出口額預計將年增 10.2%，達到 1,093 億美元，
有望創歷年來次佳表現，僅次 2018 年的 1,267 億美元。
當地研究機構預測，2021 年南韓的記憶體晶片出口額可望年增約 12%，
突破 700 億美元大關，而系統晶片出口額將年增 7%，達到 310 億美元以上。
（本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載；首圖來源：SK 海力士）