英特爾發表新製程路線　4年內追上台積電、三星
28分鐘前
CPU一哥英特爾（intel）在新執行長基辛格（Pat Gelsinger）掌舵下，正加速製程與封裝
創新，今首度詳盡揭露其製程與封裝技術的最新路線規劃，並宣布一系列基礎創新，目標
在2025年之前趕上甚至超越晶圓代工廠台積電與三星。
英特爾除首次發表全新電晶體架構RibbonFET外，還有被稱作PowerVia的業界首款背部供電
的方案，也正迅速轉往下一世代EUV工具的計畫，稱為高數值孔徑（High NA）EUV；英特爾
有望獲得業界首款High NA EUV量產工具。
英特爾指出，產業早已意識到，目前以奈米為基礎的製程節點命名方式，並不符合自1997
年起採用閘極長度為準的傳統。英特爾今公布製程節點全新的命名結構，創造清晰並具備
一致性的架構，給予客戶更為精確的製程節點認知。
英特爾表示，隨著公司成立晶圓代工服務Intel Foundry Services，這種重要性更勝以往
。英特爾執行長基辛格表示，今天揭曉的各種創新，不僅開展英特爾的產品路線規劃，它
們對於我們晶圓代工的客戶也相當重要。
英特爾技術專家以新的節點命名方式，詳述下列未來製程與效能藍圖規劃，以及各節點所
具備的創新技術：
‧ Intel 7：植基於FinFET（鰭式場效電晶體）最佳化，相較Intel 10nm SuperFin每瓦效
能可提升大約10%～15%。Intel 7將會使用在2021年的Alder Lake用戶端產品，以及2022年
第1季量產的Sapphire Rapids資料中心產品。
‧ Intel 4：全面使用極紫外光（EUV）微影技術，透過超短波長的光，印製極小的形狀。
伴隨每瓦效能提升約20%，以及面積改進，Intel 4將於2022下半年準備量產，2023年開始
出貨，client用戶端Meteor Lake和資料中心Granite Rapids將率先採用。
‧ Intel 3：進一步汲取FinFET最佳化優勢與提升EUV使用比例，以及更多的面積改進，
Intel 3相較Intel 4約能夠提供18%的每瓦效能成長幅度。Intel 3將於2023下半年準備開
始生產。
‧ Intel 20A：以RibbonFET和PowerVia這2個突破性技術開創埃米（angstrom）時代。
RibbonFET為英特爾環繞式閘極（Gate All Around）電晶體的實作成果，亦將是自2011年
推出FinFET後，首次全新電晶體架構。此技術於較小的面積當中堆疊多個鰭片，於相同的
驅動電流提供更快的電晶體開關速度。PowerVia為英特爾獨特、業界首次實作的背部供電
，藉由移除晶圓正面供電所需迴路，以達最佳化訊號傳遞工作。Intel 20A預計將於2024年
逐步量產。英特爾同時公布， Qualcomm（高通）將採用Intel 20A製程技術。
‧ 2025與未來：Intel 20A之後，改良自RibbonFET的Intel 18A已進入開發階段，預計於
2025年初問世，將為電晶體帶來另一次的重大性能提升。英特爾也正在定義、建立與佈署
下一世代的EUV工具，稱之為高數值孔徑EUV，並有望獲得業界首套量產工具。英特爾正與
ASML緊密合作，確保這項業界突破技術能夠成功超越當代EUV。
英特爾強調，公司擁有基礎製程創新的悠久歷史，推動產業前進並破除限制。在90奈米領
銜轉換至應變矽，於45奈米採用高介電常數金屬閘極，於22奈米導入鰭式場效電晶體，
Intel 20A將會是另外一個製程技術的分水嶺，提供RibbonFET和PowerVia兩大突破性創新
。
英特爾新的IDM 2.0策略，對於實現摩爾定律優勢而言，封裝變得越來越重要。英特爾並宣
布，亞馬遜網路服務公司（AWS）將是第一個採用IFS封裝解決方案的客戶。（吳國仲╱台
北報導）
https://tw.appledaily.com/property/20210727/N474VQTGA5BEROICSCRFGLNNGM/
所以今天是intel的改名大會?