KIOXIA 宣佈研發 HLC NAND 顆粒 儲存密度比 QLC 高 50% 　PE 不到 100 次
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KIOXIA (前身為 TOSHIBA) 宣佈正投入研發 HLC NAND Flash 顆粒，相較現時的 QLC
NAND Flash 顆粒，其存儲密度將提升 50%，同時堆疊層數亦會提升至 600~1000 層，雖
然預估量產後 PE 壽命將不到 100 次，但由於存儲容量會相當誇張，這意味著很久才會
寫滿一次 SSD。
隨著 NAND Flash 的演進，現在 SLC、MLC 顆粒已基本上消失在家用 SSD 產品中，目前
是由 TLC 與 QLC 為主流，並且開始向著 PLC 前進，所謂的 PLC 就是每 Cell 存儲 5
bits，要儲存更多的資料就需要更多的電壓層級。
舉例 QLC 是電壓層級就有 24 即 16 個不同電壓狀態，PLC 則是 25 是 32 個，如果要
提升至 HLC 則需要 26 高達 64 個電壓層級，這對於 NAND Flash 控制器來說是極大的
挑戰，因此 64 個不同電壓訊號需要非常準確不能出現干擾，否則資料就會出現錯誤。
雖然技術難度非常高，但 HLC 的存儲密度比 QLC 要高出 50%，對於廠商們來說是非常吸
引，不僅每 GB 成本會進一步下降，同時而意味儲存容量會大幅提升。
雖然 HLC NAND Flash 的 PE 壽命將不到 100 次，但由於堆成層數會大幅增至 600 至
1000 層，HLC NAND Flash 存儲容量會相當誇張，意味著很久才會寫滿一次 SSD，能放
入更多的 Cold Data。