https://technews.tw/2023/03/20/sk-hynix-demonstrates-300-layer-stacked-3d-nand-flash-prototype/
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在日前的第 70 屆 IEEE 國際固態電路會議 (ISSCC) 期間，南韓記憶體大廠 SK 海力士
展示了最新300 層堆疊第 8 代 3D NAND Flash 快閃記憶體的原型，令與會者大吃一驚。
SK 海力士在會議在發表會的標題訂為 「高密度記憶體和高速介面」，其中描述了該公司
將如何提高固態硬盤的性能，同時降低單個 TB 的成本。預計，新的 3D NAND Flash 快
閃記憶體將在兩年內上市，並有望打破記錄。
根據外媒報導，SK 海力士揭示了具有更快資料傳輸量和更高儲存等級的第 8 代 3D
NAND Flash 快閃記憶體的開發。而新的第 8 代 3D NAND Flash 快閃記憶體將提供 1 TB
（128 GB） 存儲容量，具有 20Gb/mm2 單位容量、16KB 單頁容量、四個平面和 2400
MT/s 的介面。最大資料傳輸量將達到 194 MB/s，相較上一代 238 層堆疊和 164 MB/s
傳輸速率的第七代 3D NAND Flash 快閃記憶體高出 18%。而在更快的輸入和輸出速度下
，有助於 PCIe 5.0 x4 或更高的介面利用率。
而根據 SK 海力士研發團隊的說法，第 8 代 3D NAND Flash 快閃記憶體採用了 5 項嶄
新的技術。首先，三重驗證程式 (TPGM) 功能可縮小單元閾值電壓分佈，並將 tPROG （
編程時間） 減少 10%，從而轉化為更高的性能。其次，採用 Adaptive Unselected
String Pre-Charge (AUSP) 技術，再將 tPROG 降低約 2% 。第三，APR方案可將讀取時
間降低約 2%，並縮短字線上升時間。第四，編程虛擬串 (PDS) 技術可藉由降低通道電容
負載來縮短 tPROG 和 tR 的界線穩定時間。最後，平面級讀取重試 (PLRR) 功能，允許
在不終止其他平面的情況下，更改平面的讀取級別。之後，立即發出後續讀取命令，並提
高服務質量 (QoS)，從而提高讀取性能。
報導強調，由於 SK 海力士針對新產品還在開發中，因此該公司尚未透露生產最新一代
3D NAND Flash 快閃記憶體的量產時間。儘管如此，分析師仍預計該公司最早會在 2024
年出現變化，最遲在 2025 年出現。