3D V-Cache 改放 CCD 下方 散熱大解放
原文轉自 HKEPC
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【AMD X3D Yes 】Wccftech 取得了一張 Ryzen 7 9800X3D 的獨家開蓋照片，證實了第二
代 3D V-Cache 的傳聞。新一代的 3D V-Cache 不再放置在 CCD 的表面，而是改為放在 CC
D 的下方，這一改動大大提升了 9000X3D 的散熱表現，使性能得到了重大突破。
據了解，以往的 3D V-Cache 使用了 TSMC 的 SoIC 技術，通過透過 hydrophilic Dielect
ric-Dielectric Bonding 與 Direct CU-CU bonding 技術直連與 CCD 晶片直接連接。
由於 3D V-Cache 晶片位於 CCD 的上方，影響了散熱效果，因此具備 3D V-Cache 的 Ryze
n X3D 處理器在 TDP 規格和 CPU 時脈上都會低於非 X3D 型號。
新一代 3D V-Cache 的設計中，Cache 晶片已改放在 CCD 的下方，因此顯著提升了 9000X3
D 型號的散熱表現。新一代的 9800X3D TDP 規格提升至 120W，核心時脈亦提升至 4.7GHz
Base Clcok、5.2GHz，絕對令人期待。
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