今年8月 18A的D0<0.4的時候，良率就超過99%了。
Dr. Ian Cutress在twitter po的圖
https://i.imgur.com/is8kB82.jpeg
是的，2.25mm2的chip。這跟gg喜歡玩sram的良率是一樣的意思。
https://i.imgur.com/V8AdS1q.jpeg
良率這種東西，本來就是越大顆良率越低，所以業界普通是用defect density(D0)來溝通的。
昨天，n2號稱6成良率，那6成的什麼東西？
https://ec.ltn.com.tw/article/paper/1680811
普通來講，是手機晶片尺寸，那就是100mm2。D0大概就是0.4。
量產的時候D0<0.1才可以，那樣100mm2的良率才能夠達到90%以上。
0.4到0.1普通來講要一年，所以n2大概跟n3一樣要12/31日量產。
所以明年蘋果手機不用n2的新聞才傳出來。
18A時程早n2半年是沒問題的。問題是性能，價錢，產能，其它...
前兩天，UBS的conference有請到Zinsner跟Naga Chandrasekaran
https://seekingalpha.com/article/4742201-intel-corporation-intc-ubs-global-technology-and-ai-conference-transcript
Chandrasekaran是Pat從美光挖來。從他的談話，你就知道IFS的重點在那，Intel在技術上是沒問題的，但在配合客戶需求上有極大改良的空間。還有Fab的良率要持續改良，不能像以往Intel往下個node邁進，前一個node就放掉，那是心態跟文化的調整。
補充一下，Intel 3的良率跟性能很好，本來arl-u只有少數是用Intel 3，但現在看來是全部用，arl-h用n3b不變。Intel 4到Intel 3的改良真的很可觀。