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晶圓代工龍頭台積電（2330）全力衝刺10奈米製程研發，並計畫採用新一代極紫外光
（EUV）微影技術，而設備大廠艾司摩爾（ASML）昨（24）日證實，台積電採用EUV機台
NXE:3300B微影系統，成功達到單日曝光超過1,000片晶圓的目標，不但再次刷新EUV微影
系統生產力新紀錄，更為EUV微影技術用於先進製程量產注入強心針。
在加州聖荷西市舉行的國際光學工程學會（SPIE）先進微影技術研討會中，台積電研發
處長嚴濤南指出，台積電近期的一項測試中，成功使用ASML的NXE:3300B極紫外光微影
系統，於24小時內以超過90瓦的穩定光源功率（source power），連續曝光1,022片晶
圓。台積電很滿意這項測試結果，而這也看到了ASML的EUV微影系統的潛力。
台積電日前曾表示，希望將EUV微影系統用於量產，可能在10奈米世代就先在部份光罩
採用EUV技術進行曝光。目前台積電已安裝2台NXE:3300B極紫外光微影系統，另有2台
新一代極紫外光微影系統NXE:3350B，將於今年完成出貨，原先已安裝的2台NXE:3300B
也將升級到NXE:3350B的效能。
ASML EUV服務及產品行銷副總裁Hans Meiling表示，台積電完成的這項測試結果，不僅
證明NXE:3300B極紫外光微影系統的效能，也讓ASML對於在2015年底前達成單日曝光1,000
片晶圓的目標深具信心。ASML將會持續提高光源功率、提升系統妥善率（availability）
，並盡力在各個客戶端達到相同的測試結果。
截至今日，ASML已累計出貨8台NXE:3300B EUV微影系統，並都已於客戶端展現穩定的
效能，跨越單日曝光500片晶圓的門檻，間接證明EUV微影系統已可用於10奈米的試產。
依據ASML與晶片製造商共同規劃的EUV微影系統發展進度，2015年底前必須達到單日曝光
1,000片晶圓，2016年底前更必須達到單日曝光1,500片晶圓的生產力，才能符合量產需
求。
台積電共同執行長劉德音日前在法說會中表示，台積電正與客戶積極投入10奈米技術研發
，希望今年內會有晶片完成設計定案（tapeout），今年底可完成製程認證，明年開始試
產，2017年進入量產。
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