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作者: VirgilAeneid (維吉爾) 看板: Gossiping
標題: [新聞] GF領先業界推出22nm FD-SOI技術平台
時間: Wed Jul 15 18:06:46 2015
1.媒體來源:
TechNews
2.完整新聞標題:
GLOBALFOUNDRIES 領先業界率先推出 22 奈米 FD-SOI 技術平台
3.完整新聞內文:
為滿足下一代連網裝置超低功耗的需求，GLOBALFOUNDRIES 13 日宣布推出一項特別
研發的最新半導體技術：「22FDXTM」平台，能達到媲美 FinFET 的性能和能效，成本
趨近於 28 奈米平面式（Planar）技術，讓不斷推陳出新的主流行動、物聯網、RF
連結及網路市場有了最佳解決方案。
雖然有些應用會要求到 3D FinFET 電晶體最頂級性能，但多數的無線裝置需要的是
性能、功耗和成本之間的最佳綜合考量。運用業界率先推出的 22nm 2D FD-SOI 技術
（Fully Depleted Silicon-on-Insular；全空乏絕緣覆矽），22FDX 提供了成本敏感
應用最佳的選擇途徑。憑藉業界最低 0.4 伏特的運作電壓，達到超低動態功耗、更低
熱效應，以及更精巧的最終產品尺寸規格。相較於 28nm，22FDX 晶粒尺寸縮減 20%，
光罩數目減少 10%；而相較於 foundry FinFET，更減少近 50% 的浸潤式微影層。
GLOBALFOUNDRIES 公司營運長 Sanjay Jha 表示：「22FDX 平台讓客戶善用最佳的功耗
、性能和成本之綜合表現，推出有別於市場的產品。22FDX 率先推出即時系統軟體
可控制電晶體特性，系統設計師能夠動態平衡功率、性能和漏電。此外，對於 RF 和
類比整合來說，這個平台提供了最佳的調整彈性同時具備最高的能源效率。」
22FDX 運用 GLOBALFOUNDRIES 在德國德勒斯登廠先進 300mm 生產線上 28 奈米高量
平台來生產。這項技術奠基於對歐洲最大的半導體晶圓廠近二十年的長期投資，並且
預示了德國矽谷地區發展的新扉頁。
GLOBALFOUNDRIES 在德勒斯登發布的 FDX 平台上投資了 2 億 5 千萬美元作為技術發展
和早期 22FDX 產能建立，屆時自 2009 年以來對於 Fab 1 總投資額將超過 50 億美元。
同時也計畫進一步投資以因應客戶需求。此外，GLOBALFOUNDRIES 與研發團隊和業界龍頭
合作，共建穩健生態系統，不但加速產品上市時間並且提供 22FDX 系列各產品。
GLOBALFOUNDRIES22FDX 平台實現用軟體控制電晶體特性，以達到在靜態電源、動態電源
以及效能間作到即時調適。並包含一系列多元產品，符合不同應用需求：
22FD-ulp：針對主流低成本智慧型手機市場，超低功耗產品的功能提供了 FinFET 之外
另一種選擇。透過基底偏壓技術，22FD-ulp 比起 0.9 伏特 28nm HKMG，功耗能夠降低
超過 70%，而功率和性能都媲美 FinFET。對於部分物聯網和消費應用，平台可在 0.4
伏特下運作，並相較於 28nm HKMG 能減少 90% 的功耗。
22FD-uhp：運用類比整合的網路應用，22FD-uhp 能在最小能耗的情況達到與 FinFET 同
級超高性能。22FD-uhp 客製化設計包含順向體偏壓、應用最佳化金屬堆疊和支援 0.95v
驅使電壓。
22FD-ull：超低漏電性能適用於可穿戴和物聯網裝置，具備與 22FD-ulp 相似功能，將漏
電降至最低1pa/um。結合低運轉功率、超低漏電和彈性基底偏壓特性，能夠開發出全新等
級，功耗大幅減低的電池供電穿戴裝置。
22FD-rfa：此一射頻類比產品提供更高的資料傳輸速率以及較低系統成本下 50% 的功耗
減省，能夠滿足包括 LTE-A 行動接收器、高階 MIMO WiFi 整合晶片以及毫米波雷達在內
等大量射頻應用極為嚴苛的要求。主動射頻元件後閘功能則能降低甚至免除主要射頻訊號
路徑線路中複雜的補償電路，射頻設計者因而可以提取出更多內在的 Ft 效能。
GLOBALFOUNDRIES 與重要客戶和生態系統夥伴密切合作，鑽研最佳設計方法和完整的基礎
與複雜專利開發。2016 下半年將開始提供設計初始套件和初版製程設計套件，以及進行
風險生產。
4.完整新聞連結 (或短網址):
http://tinyurl.com/ndn4ekx
5.備註:
起風了?
Samsung 授權 14nm FinFET給 GF
GF 授權 22nm FD-SOI 給 Samsung