※ 引述《zxcvb7700 (公園ing)》之銘言：
: 1.原文連結(必須檢附)：
: http://0rz.tw/ypzc8
: 2.原文內容：
: 三、台積電坐擁10奈米製程進度順利、表現優與InFO優勢，2017年可望憑藉10奈米製程，
: 獨吞蘋果A11應用處理器訂單。四、客戶轉往10奈米腳步加快，蘋果、聯發科、海思、展
: 訊等考量高端智慧機競爭激烈，未來均可望加速使用台積電10奈米製程。
以下國外專業媒體對Intel, TSMC, Samsung三家先進製程進度分析,
http://goo.gl/jmHYWB
上網時間: 2016年03月28日
先進製程技術競賽誰領先？
原文
http://www.eetimes.com/document.asp?doc_id=1329279
3/24/2016 11:08 AM EDT
Silicon Lacks Clear Metrics
節錄部分片段:
節點性能與名稱無關？
Gwennap表示，技術節點的傳統衡量標準是電晶體尺寸，亦即所測得的最小閘極長度。
然而，歸功於市場行銷的努力，如今的節點名稱不再與閘極測量結果吻合了，「但其
差距也不算太大——英特爾14nm製程的閘極長度約相當於三星(Samsung)的20nm。」
不過，Gwennap說，台積電和三星目前「在速度與密度方面都遠落後英特爾的14nm製程，
」以此來看，他認為三星的節點更適合稱為17nm，台積電則為19nm。「預計在10nm時的
情況類似...三星與台積電將在速度與密度方面落後英特爾約一至半個節點。」
然而，光是最小閘極長度並不足以決定一切，Chipworks資深研究員兼技術分析師Andy
Wei表示，「定調一項技術是否最優，高度取決於與面積微縮有關的製程成本。而這可
歸結為比較佈線單元級的技術能力，以及達到該密度所需的成本，Chipworks正是以此
作為基準」。
http://goo.gl/fW0eyL
Linley Group認為，三星可望最先推出10nm製程，但英特爾的表現會更優
（來源：Linley Group）
自從德州儀器(TI)為了如何衡量閘極長度而戰，製程節點的命名之爭已經持續25年了。
Hutcheson說，TI採用有效閘極長度，而矽谷晶片製造商則以更大的閘極長度作為指標。
在1990年代，當線寬微縮至奈米級時，「新的論據認為閘極長度不再適用，因為蝕刻
削薄而使M1金屬級間距成為更適合的標準——不過卻仍由閘極長度決定性能。」
其後，台積電宣稱其40nm製程比英特爾使用的45nm節點更好，但除了「更好」似乎也沒
提出任何指標，Hutcheson指出，「從那時起，就一直有點像是『各自表述』一樣。例如
，Globalfoundries的32nm和28nm之間真正的差異是32nm是SOI製程，28nm則是bulk製程
。」
台積電已經明確表示其16nm製程採用20nm的後段製程技術——FinFET電晶體層疊於頂部。
在最近於聖荷西舉行的會議，台積電表示，其7nm節點將會較其10nm製程密度更高1.63倍
，Chipworks的Wei說，「這使得2種尺寸微縮0.7倍的性能提高還不到2倍，而節點名稱
微縮了0.7倍。」
「市場行銷元素強烈影響節點的命名，而且著眼於頂級規格，但設計工程師知道他們所
選擇的技術優點，」Jones表示。畢竟，「只要製程技術快速、低功耗且低成本，那麼
怎麼稱呼都不重要。」