此話內容，稍讀了一下就發現一些不對勁，就此拿出來跟大家分享。
本文(如連結) 在此轉述:
”….艾司摩爾至今尚未公布EUV機台的耗電功率，但世界第二大記憶體製造商、韓國的SK
海力士曾在2009年的EUV Symposium表示，EUV的能源轉換效率（wall plug efficiency）
只有0.02％左右。這個數字現在廣為業界引用。也就是說，當前最先進的EUV機台能輸出2
50瓦功率的EUV，需要輸入0.125 萬千瓦的電力，這個耗電量是傳統氬氟雷射的10倍以上
。
….”
這句話，我稍微找了一下，原來作者是從EUV lithography的英文版wiki看到的
(連結: https://goo.gl/gdFqtx)，其中的”source requirement”這一段中提到”... T
he required utility resources are significantly larger for EUV compared to 193
nm immersion, even with two exposures using the latter. Hynix reported at the
2009 EUV Symposium that the wall plug efficiency was ~0.02% for EUV, i.e., to
get 200 W at intermediate focus for 100 WPH, one would require 1 MW of inputp
ower, compared to 165 kW for an ArF immersion scanner…”
然後接著我就去把hynix這一份pdf找出來(如連結: https://goo.gl/maveV1) 的第24頁，
有了! 但上面寫得又跟本文寫得不一樣，上面是說當轉換率只有0.02%時，EUV輸出200W時
需要1MW卻不是本文中提到的0.125 萬瓩。
而作者在本文的闡述事實上就是依據這樣的計算的基礎上做議論，但是這是2009年的數據
，太老了，根本不是作者宣稱的所謂”0.02%這個數字現在廣為業界引用”的情況。
我們來看去年最新的EUV HVM的進展，我舉兩篇，
[1] https://goo.gl/osSM3e
和[2]https://www.euvlitho.com/2016/P34.pdf
都是用~20KW的輸入功率就可以達到200W的輸出功率，其中的轉換效率也已經到了1%，遠
比作者引用舊的資料的0.02%高了50倍了。
而文中，冷卻EUV產生的廢熱事實上是用水循環不是用電，所以會耗費水資源，但冷卻完
後的水幾乎可以再重複使用，所以相關影響不大，但文中硬要把冷卻也講成耗電的主要來
源，這樣已經是故意誤導了。
半導體科技一日千里，作者居然去查了一下wiki就用8年前的資料來做文章，真的是貽笑
大方!!
手機排版，閱讀如有不適敬請見諒。