1.原文連結：
為NAND架構鬧翻？英特爾，美光將拆夥研發？
http://bit.ly/2Dfu04g
2.原文內容：
英特爾（Intel）和美光（Micron）合作研發 NAND Flash 多年，8 日宣布準備拆夥，將
在完成第三代 3D嘅AND 研發之後，正式分道揚鑣。
Anandtech、Barronˋs 報導，英特爾和美光 12 年前成立合資公司 IM啫lash糍echnolog
ies，發展 NAND。英特爾資助研發成本，並可分享 NAND 銷售收益。不過兩家公司 NAND
策略迥異，英特爾的 NAND 幾乎全用於企業市場的固態硬碟（SSD）。美光除了販售 SSD
、也供應 NAND Flash 晶片。
目前兩家公司的 3D NAND 製程，進入第二代，可堆疊 64 層，正在研發第三代，預料可
堆疊 96 層，預計在 2018 年底、2019 年初問世。此一製程之後，英特爾和美光將各走
各的路。
Anandtech 猜測，也許是 NAND 堆疊層數破百之後，需要調整 String Stacking 的堆疊
方式，兩家公司對此看法不同，因而分手。另一個可能是，目前 3D NAND 的生產主流是
電荷儲存式（Charge trap） ，三星電子等都採用此一方式，英特爾／美光是唯一採用浮
閘（floating gate）架構的業者。也許是兩家公司中有一家想改採電荷儲存式架構，但
是此舉等於坦承失敗，代表從 2D NAND 轉換成 3D NAND 後，續用浮閘是錯誤決定，因而
鬧翻。
值得注意的是，兩家公司仍會繼續共同研發 3D XPoint 記憶體，此一技術被譽為打破摩
爾定律的革命技術。
（本文由嗰oneyDJ新聞ē藍v轉載；首圖來源：科技新報）
3.心得/評論：
剛聽記者在報導
英特爾有意 攜手中國紫光
以換取龐大的中國 資料市場
中國，英特爾 各取所需
（一有錢沒技術 一有技術要錢錢）
預計幾年後的記憶體市場 將腥風血雨
XD