三星電子開始量產136層第六代V-NAND SSD
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2.原文內容：
三星電子於2019年8月6日宣布，已開始批量生產250 GB（Gigabyte）SATA固態硬碟（SSD），該硬碟是一個三位元V-NAND，集成了該公司的第6代（1xx層）256 Gb（Gigabit）。目前，已進行SSD交付給全球PC製造商。
該新款SSD基於超過100層的第六代V-NAND，具有快速的數據傳輸速率。
該公司稱其新的V-NAND利用3D記憶體提升，突破目前的儲存單元堆疊限制(cell stacking limitations)。新產品為之前的9x層單層結構增加了大約40％的單元。該公司構建由136層組成的導電模具疊層實現了這一目標，然後從上到下垂直穿透圓柱形孔，形成均勻的3D電荷陷阱閃存（charge trap flash；CTF）單元。該公司稱這種方法為“通道孔蝕刻”(channel hole etching)技術。
隨著每個單元區域中的模具堆疊的高度增加，NAND閃存晶片往往更容易受到錯誤和讀取延遲的影響。三星表示，它通過採用速度優化的電路設計克服了這些限制。
該公司表示，這種速度優化設計使其能夠提供超過300層的下一代V-NAND解決方案，只需安裝三個電流堆即可構建，而不會影響晶片性能或可靠性。
利用高速和低功耗特性，三星計劃將擴大3D V-NAND版圖的範圍到下一代行動裝置和企業伺服器等領域，還可針對高可靠性的汽車市場。
從企業的250 GB SSD開始，三星電子計劃在今年(2019)下半年提供512 Gb三位元V-NAND SSD和eUFS。該公司還計劃從明年開始在其南韓Pyeongtaek園區擴大生產第六代V-NAND解決方案，以滿足全球客戶的需求。
全球96層3D NAND產量預計自2019第二季開始擴大
原先，全球NAND大廠包括三星、SK Hynix、美光、東芝等紛紛開出96層3D NAND產量，預計將自2019第二季開始擴大，這可能會為今年(2019) SSD市場與價格帶來更多變數，但這些大廠也紛紛宣布減產。其實，自2018年以來，NAND價格一直在下跌，主要原因是64層及72層3D晶片的供應增加，因而預估至今年底，NAND 價格甚至會跌至每GB不到0.1美元的新低價。
然而受貿易戰可能影響NAND市場版圖
目前，由於美中+日韓貿易戰影響，市場出現有趣變化，南韓廠因原料受控日本而順勢減產，而美日廠商(美光、Western Digital、東芝等)反而有機會撿到槍順勢接單。然而，大陸政府扶植NAND Flash廠商長江存儲，仍宣稱預計今年(2019)底前NAND將依照進程正式量產64層Xtacking 3D NAND產品，初期以供應中國境內市場為主。假如，貿易戰持續延燒，全球96層3D NAND產量預計可能如期自2019第二季開始擴大，並且出現美日大廠獨吃大單的現象。
3.心得/評論：
自2018年以來，快閃記憶體價格一直在下跌，主要原因是64層及72層3D晶片的供應增加。預估至今年年底，快閃記憶體價格甚至會跌至每GB不到0.1美元的新低價。
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