因應2020年5G服務及CPU需求，三星電子增加半導體投資
1.原文連結：
http://bit.ly/2NQdRbg
2.原文內容：
三星電子(Samsung Electronics)於2019年10月31日宣布，與2018年相近，今年的投資額為29兆韓元，投資包含半導體領域的23.3兆韓元、及顯示器領域的2.9兆韓元，而今年第四季的大部分資本支出將用於記憶體晶片領域的基礎設施。三星電子在今年前三個季的總投資額為16.8兆韓元，並計畫第四季12.2兆韓元。
營收方面，三星的半導體部門今年(2019)第三季的營業利潤為3.05兆韓元，是自2016年第二季以來最低，此外，該部門的淨利率（operating profit-to-sales ratio）也在三年中該季下降至20%以下。
在今年剩下的兩個月，三星電子採取大膽的投資計劃，與SK海力士的立場大相逕庭。SK海力士最近公佈了13個季的最低收益，並表示隨著明年DRAM和NAND flash的產量降低，其投資額可能會減少。
三星電子基於10奈米級的DRAM產品已量產，因而加速半導體投資計畫。10奈米DRAM至今年年底將佔大約80%，而17（1y）奈米級的DRAM產品將成為2020年上半年的主流產品。三星亦表示將按計劃生產17奈米級產品，並利用新EUV極紫外光微影技術設備增加其產量。三星位於西安的中國第二家製造廠計畫將於明年(2020)初投入運營，而其在南韓平澤的第二家製造廠也將於2020年開業，這兩家工廠可能分別生產NAND Flash和DRAM產品。
由於Apple即將發布5G智慧手機以及5G服務將在美國和日本等地發展，預計明年的全球半導體需求將激增。英特爾也計畫在2020年下半年發表Ice Lake伺服器CPU，預計CPU將促使雲端服務供應商對DRAM和SSD的需求。
三星可能受到台積電大舉投資的影響而決定加大投資力道。隨著7奈米強效版(7+)需求擴大及未來5奈米新產能需求，TSMC決定擴大今年(2019)資本支出，從110億美元提高至140億~150億美元。至於，新增加的40億美元當中，15億美元用於擴增7奈米產能，25億美元投入5奈米生產線建置，預估明年第二季後新產能就會開出。同時，台積電的加碼動作，也將刺激其他公司效仿跟進。
目前，三星電子和台積電是唯二兩家使用基於EUV微影設備的7奈米級製程技術的製造廠，而對於想要在2030年主導半導體製造市場的三星電子而言，增加投資額是必不可少的。
三星電子曾於2019年4月24日宣布“半導體願景2030”，至2030年將投資133兆韓元（1150億美元）於系統半導體領域(system Semiconductors)的研發（R&D）和生產技術，並僱用15,000名專業人員，其中將投入73兆韓元於RD研發和60兆韓元於先進生產設備(購買EUV設備)。三星的目標不僅在記憶體半導體領域，也包含非記憶體晶片（包括系統半導體在內）或晶片系統（SoC）方面，企圖在未來搶全球龍頭地位。
3.心得/評論：
雖然三星2019年Q3是14季以來最低，但三星看準2020年5G手機及服務市場，增加半導體投資額。但也不排除是受台積電影響。