原文標題：
半導體設備和材料本地化 韓國仍高度依賴日本、中國尋求自主發展
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原文連結：
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發布時間：
2021年8月4日
(請以原文網頁/報紙之發布時間為準)
原文內容：
韓國半導體在日本對韓國實施出口限制之下，努力企圖突圍，但歷經兩年，似乎效果不盡
理想，然而從長遠來看，韓國公司對日本的依賴程度可能會逐年下降。
韓國文在寅政府曾於2021年7月1日表示，韓國公司對從日本進口的工業材料的依賴度已經
下降，在100個關鍵產品方面，韓國對日本的依賴程度已從31.4%下降到24.9%。
韓國政府稱，自2019年7月日本對韓國實施出口限制以來，韓國從比利時進口的光阻劑增
加了10倍，對日本的依賴度已經降至50%以下。但日經新聞指出，從比利時出口到韓國的
光阻劑是由日本化學公司JSR提供的，此外，韓國對日本的整體光阻劑的依賴度仍然超過
80%。2020年韓國從日本進口的光阻劑增加了22%，達到3.2829億美元，2021年上半年的進
口量也比去年(2020)同期增加了3%。
氟化聚醯亞胺（fluorine polyimide）方面，韓國政府提到，透過採用超薄玻璃作為替代
品，韓國在面板方面對日本氟化聚醯亞胺的依賴程度接近於零。但日經新聞表示，超薄玻
璃用於的折疊式智慧型手機，僅占三星電子智慧手機總出貨量的1%，韓國仍在其他情況下
使用日本的氟化聚醯亞胺，2021年上半年從日本進口的氟化聚醯亞胺比去年同期增加15%
，達到4430萬美元。
韓國企業也意識到了供應鏈可能的危機，希望日本企業能在韓國本地增加產量。像是，氟
化氫（hydrogen fluoride）供應商大金工業（Daikin Industries）決定在韓國建廠，可
能導致日本工作機會的減少以及產業的空洞化。
中國尋求半導體設備和材料的本地化方面
中國半導體方面，官方大筆資金挹注並以後進入者追趕，但因政策補貼出現人謀不臧問題
，還有來自美國實施出口管制的壓力，而無法循正常管道取得西方先進半導體及晶片技術
。但是，中國正在加快發展半導體設備和材料的製造能力，包括光阻劑（photoresist）
、曝光設備、沉積設備和離子注入設備（ion implanter）。
最近，中國在半導體設備和材料的本地化方面取得了大幅進展，相關企業股價也跟著升高
。由於美國的制裁，中國進口半導體設備變得更加困難，使中國更積極的發展本地技術，
上海微電子裝備（SMEE）計畫在2021年底推出能夠28奈米半導體曝光設備，上海至純科技
（Zhichun Technology）的28奈米製程濕式清洗設備也已經出貨，還計畫在2022年內發佈
14奈米和7奈米製程的設備，其他中國企業也在開發離子注入等設備。
中國的光阻劑開發也在加速進行。南大光電(Nata Opto)宣佈成功開發ArF光阻劑；蘇州瑞
紅也在大規模生產i-line光阻劑，向中國半導體企業供貨，KrF光阻劑則處於試驗階段，
計畫2022年開始大規模生產。
由於，中國政府投資半導體設備和材料製造商，包括GaN半導體MOCVD（有機化學氣相沈積
設備）設備製造商安泰科技；CVD（化學氣相沉積）和清洗設備製造商北方華創；以及光
阻劑和沉積前驅物製造商南大光電。
此外，中國DRAM記憶體製造商長鑫存儲的DDR4 19奈米製程良率宣稱已經提升到75%。長鑫
存儲計畫在年底前開始大規模生產17奈米製程產品，目前的DRAM記憶體容量以達40K WPM
，但計畫在2021年底前擴增到60K WPM。
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受到貿易戰影響，中國和韓國積極發展本地半導體設備和材料產業，確保供應鏈的安全。