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英特爾計劃在美國設立大型晶圓廠，爭取更多補助並縮小與台積電落差
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發布時間：
2021年8月11日
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原文內容：
英特爾（intel）執行長 Pat Gelsinger 於 2021 年 7 月底接受《華盛頓郵報》視訊專
訪時表示，英特爾可能 8 月底公布大型晶圓廠（Mega-Fab）地點，包含由 6 至 8 座晶
圓廠模組（fab modules），預計耗資千億美元，形成一個晶圓城市。
Gelsinger 指出，恢復半導體供應鏈的彈性比降低製造成本更重要。目前半導體製造產能
將近 80% 都集中亞洲，美國 (12%) 及歐洲 (9%)；若未來 10 年，在美國和歐洲增加投
資，讓半導體供應鏈恢復平衡，使製造市佔率能均衡分配，美國 (30%)、歐洲 (20%) 和
亞洲 (50%)，將讓所有人滿意。
然而，建造晶圓廠的成本來看，一座晶圓廠成本在 100 億至 150 億美元，但在不同地點
建廠其成本差距也很大，例如在美國建廠比在亞洲的成本高出 30%，若在中國建廠成本將
減少 50%，這就是晶圓工廠搬到亞洲的原因。在亞洲的成本效益要高得多，但英特爾希望
利用美國知識產權在美國本土和歐洲本土建立晶圓廠。所以，英特爾強調美國晶圓廠若想
獲得競爭優勢，就得有 30%~50% 經費補助。
其實，Gelsinger 專訪真正目的在於強調美國 CHIPS 半導體激勵法案的重要性，同時從
中爭取獲得更多的補助經費。
雖然，Gelsinger 承認英特爾製程落後台積電和三星，但正在縮小差距，並可能在本月底
前公佈新晶圓廠位置，下一座大型晶圓廠（Mega-Fab）將建設於美國本土。英特爾正和美
國各州政府接觸，就工廠位置、能源、水、環境，以及大學校園等技術交流。英特爾計畫
的大型晶圓廠將包含 6~8 個晶圓廠模組（fab modules）架構。每個晶圓廠模組耗資
100 億至 150 億美元。10 年內投資 1,000 億美元，並創造 1 萬個直接就業機會、10
萬人間接就業。
英特爾剛為下世代主要電晶體創新制定了一條技術路徑，將在 2024 年推出 2 奈米，並
大量增加產能。還有許多新產品及從未涉足過的領域，特別是封裝技術方面。
至於，美國政府 520 億美元半導體補助計畫將如何補助？拜登將決定外國晶片製造商是
否能獲得美國政府補助資金，以吸引外國一流半導體業者赴美設廠的大餅，包括：台積電
及三星更有助於美國半導體產業在地化早日成形。
美國商務部長 Gina Raimondo 曾暗示，地緣政治風險是拜登政府決定哪些公司可以獲得
政府資金考量的部分，其他也考量像是氣候變化也是美國打造多元化、有彈性的供應鏈計
畫之事項。同時，美國正在與歐盟合作，找出供應鏈弱點，表示歐洲盟國將提出激勵晶片
國內生產的協調計畫，與美國形成互補合作。
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英特爾CEO透露將在美國投資新建晶圓廠，希望趕上台積電和三星，並藉此向政府施力，
爭取更多補助。