原文標題：IBM攜手三星 半導體設計重大突破
原文連結：https://ec.ltn.com.tw/article/breakingnews/3788342
發布時間：2022/01/03 14:22
原文內容：
IBM和三星電子聯合宣布利用新型垂直電晶體管架構的半導體設計突破，該架構展示一種
超越奈米片的擴展路徑，與按比例縮放的鰭式場效電晶體（finFET）相比，可能減少85%
能源使用量。
降低85%耗能 突破1奈米瓶頸限制
全球半導體短缺凸顯晶片研發投資的關鍵作用，以及晶片在從應用計算、電器、通信設備
、交通系統和關鍵基礎設施等各個方面的重要性。IBM和三星在紐約州的奧爾巴尼奈米技
術綜合中心進行半導體創新研發，在科學家與公共和私營部門合作下，突破半導體能力的
界限。這種創新方法有助滿足製造需求，並加速全球晶片業的發展。
目前的處理器和單晶片，是將電晶體平放在矽表面上，然後電流從一側流向另一側。然而
，三星與IBM宣稱研發出垂直傳輸場效應電晶體（VTFET），是透過彼此垂直堆疊之下，讓
電流垂直流動來達成。
VTFET設計有兩項特色。首先，可以繞過許多性能限制，將摩爾定律擴展到1奈米瓶頸之外
物理限制。其次是，由於電流更大，該設計減少能源浪費。根據這兩家公司的估計，VTFE
T將使處理器的速度比採用FinFET電晶體設計的晶片快了2倍，且功耗降低85%。
採用這種電晶體設計的晶片未來可能讓手機一次充電下，可以使用一週時間；還可以使某
些需要能源密集型的任務如加密採礦變得更加節能。
心得/評論：
三星跟IBM，還跟intel聯手合作
已經打造出新一代的完全不同規格
台積還能吃老本吃多久讓我們繼續看下去