※ 引述《fastenjoe (肥勝)》之銘言：
: 內行人看門道，外行人看熱鬧，果然跟我們想的一樣，使用SiC MOSFET並聯IGBT的hybr
id
: https://technews.tw/2023/03/03/trench-sic-misfet-may-play-the-key-role-in-th
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IGBT頻率上不去, GaN + SiC摻在一起做撒尿牛丸才是正解