原文標題：聯電：下半年比上半年好 AI將可著墨10-20％市場
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發布時間：2024/05/30 12:05
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記者署名：記者洪友芳／新竹報導
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原文內容：
晶圓代工廠聯電（2303）今召開股東會，財務長劉啟東於會後受訪指出，公司第二季營運會
較第一季小幅上升，下半年會比上半年好；針對AI布局，他表示，以聯電的技術與製程，估
計在AI市場可著墨約達10-20%，比重也不小。
劉啟東表示，聯電在AI領域，雖沒有先進製程可生產高效能運算（HPC）晶片製程，但在邊
緣運算等相關製程技術也著墨很深，以聯電的技術、製程和產能，估計未來在AI市場可做的
仍有10-20%比重，主要會鎖定在HPC的中段與後段、電源管理和高速傳輸相關晶片。
AI帶動後段CoWoS先進封裝產能需求大增，連帶CoWoS的矽中介板（Si interposer Wafer）
產能需求也激增，聯電也分食到訂單，劉啟東表示，這主要在新加坡廠生產，去年底月產能
是3千片，今年倍增到6千片，未來會持續因應市況進行投資，目前還沒有增加的計畫。
就中美貿易戰的轉單效益，劉啟東表示，客戶轉機需要時間重新設計等過程，至少六到九個
月、長則一到二年才能轉得成，短時間還沒有轉單明顯效果，但聯電生產區域分散，有新加
坡、日本、中國與台灣，還有美國與英特爾亞利桑那州的合作，客戶要在哪生產，聯電都可
滿足客戶需求。
針對景氣是否好轉，劉啟東表示，維持上月法說會基調，上半年已從景氣谷底走出來，第二
季將將上季小幅上升，希望下半年比上半年好。應用市場，汽車與工業用短期表現還弱，但
中長驅仍會成長，通訊與消費性類下半年展望會比上半年好一些。
劉啟東並提到，聯電南科的P6廠新產能，預計今年達滿載，新加坡廠的P1、P2尚未滿載，P3
日前移入第一台新機，此廠區預計延後到2026年量產，主要製程鎖定22~28奈米，將是新加
坡最先進的製程。
聯電共同總經理簡山傑在股東會中報告，聯電去年投注研發費用達新臺幣133億元，以持續
開發應用於5G通訊、人工智慧、物聯網、車用電子等所需的製程技術。重要研發成果包括完
成28奈米嵌入式高壓低功耗 （28eHV-LP） 製程平台開發，適用於AMOLED面板顯示器驅動IC
，在不影響圖像畫質或資料速率的前提下，可降低耗能達15%。
此外，聯電領先業界完成22奈米嵌入式高壓製程技術 （22eHV） 研發， 已驗證成功並導入
量產。此製程的顯示器驅動晶片 （mDDI） 有高解析度、高更新速率、高顯示色階及低功耗
等優異特性。
聯電目前已進入試產階段的22奈米影像訊號處理器 （22ISP） 技術與當前28奈米影像訊號
處理器 （28ISP） 技術相較，能提供更低功耗與更高效能的最佳表現。
聯電推出40奈米RFSOI製程平台， 提供可量產毫米波 （mmWave） 的射頻 （RF） 前端製程
解決方案，將波束形成器、 核心和被動元件及前端元件整合在單一射頻晶片中，可廣泛應
用於行動通訊、Wi-Fi、車用、物聯網和衛星通訊，預計於今年開始量產。
非揮發 性記憶體製程平台 （eNVM） 提供從180奈米至22奈米的eNVM特殊製程與相 關IP配
套方案，應用於物聯網、車用電子、工業控制及各種3C產品。
聯電28奈米非揮發性記憶體製程平台 （28ESF4） 與 22 奈米電阻式記憶體製程平台 （22R
RAM） 都已完成通用及物聯網微處理器 （Generic & IoT） 驗證。次世代客製化手機功率I
C （PMIC） 開發已完成產品驗證，並進入試產。已完成110奈米BCD 3.3V新應用平台開發，
即將導入設計定案與驗證階段。
聯驗已完成3D IC晶圓級混合鍵合 （W2W hybrid bonding） 技術產品設計流程驗證，並與
供應鏈夥伴建立W2W 3DIC專案，為AI邊緣運算應用、可客製記憶體模組、和低功耗需求提供
全方位的解決方案，進一步降低客戶系統整合的門檻。並成功研發 RF-GaN 產品與650V GaN
功率元件，並已進入試產階段。
簡山傑表示，聯電正積極開發的12奈米 FinFET 製程技術平台 （12FFC），相對於14FFC，
性能大幅提升，晶片尺寸更小， 功耗更低，可充分發揮 FinFET 在性能、功耗、和閘密度
所具備的優勢，可廣泛應用於各種半導體產品。此平台預計於2026年完成製程開發並通過驗
證， 2027年投入生產。
心得/評論：
二哥也可以有AI，10-20%
台積電算正統AI股，漲快了200點 （688到878）
https://i.imgur.com/XVTHFi5.png
二哥算15%AI股 可以漲個30點嗎？（72—》102）
https://i.imgur.com/6YxZUca.png
現在AI是顯學呀！
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