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韓記憶體廠競用陸企技術 可能引發美國關注發起制裁
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發布時間：
2025/02/26 00:22:02
記者署名：
經濟日報 記者林宸誼／台北報導
原文內容：
南韓媒體披露，繼三星電子之後，SK海力士的下一代NAND快閃記憶體晶片的核心專利，需
要依賴大陸業者授權，因此預計SK海力士也將與長江存儲（YMTC）簽署專利協議，這也是
韓系記憶體廠商再度使用陸廠專利技術。
據韓國媒體《ZDNet Korea》報導稱，三星電子近期已與長江存儲簽署了開發堆疊400多層
NAND Flash所需的「混合鍵合」（Hybrid Bonding）技術的專利授權合約，以便從其第10
代（V10）NAND Flash產品（430層）開始使用該專利技術來進行製造。
除了三星，《ZDNet Korea》還強調，南韓另一大記憶體晶片巨頭SK海力士的下一代NAND
快閃記憶體晶片的核心專利，也需要依賴大陸，預計SK海力士也將與長江存儲簽署專利協
議。
報導稱，三星之所以選擇向長江存儲獲取「混合鍵合」專利授權，主要由於目前長江存儲
在該技術方面處於全球領先地位。並且三星經過評估認為，從下一代V10 NAND開始，其已
經無法再避免長江存儲專利的影響。
對此，中華經濟研究院第二研究所暨日本中心副主任江泰槿表示，三星電子、SK海力士要
與大陸記憶體晶片龍頭長江存儲簽署專利協議，主要可能涉及AI晶片或邊緣計算。
江泰槿指出，南韓媒體此次披露，這很有可能會引起美國注意並間接導致川普對記憶體領
域發起制裁，並加強對長江存儲技術限制；而台廠由於跟SK海力士買記憶體晶片，後續可
能要注意是否會觸及美國禁令，導致供應鏈洗牌。
陸媒《芯智訊》指出，目前混合鍵合技術專利主要被Xperi、長江存儲和台積電（2330）
所掌控。但是，Xperi這家公司主要是做技術許可，而台積電也主要是做邏輯晶片製造，
顯然長江存儲在3D NAND研發製造過程當中所積累的混合鍵合技術專利對於其他3D NAND製
造商來說，想要規避可能將面臨更大的挑戰。
江泰槿指出，目前依已揭露資訊顯示，混合鍵結技術是由長江存儲向美國專利授權公司
Xperi，簽署協議後獲得原始專利。並於2020年推出「Xtacking」架構，於此基礎建立許
多衍生技術專利，目前已成為突破3D NAND技術壁壘的核心。該技術透過分層設計實現了
更高的整合密度與良率，而三星此次選擇直接授權，而非自主研發或規避專利，凸顯了對
技術可行性的務實考量。
心得/評論：
川普團隊繼續耍白癡拿刀砍盟友沒關係
自己盟友一個一個淡去只是時間問題
美國自己的問題都不解決
弄到最後受傷的還是美國自己
結論，美光或將短多