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三星的 V-NAND 隨著 850 Pro 的發布開始正式進入消費級市場
目前的 V-NAND 是第二代，最大 32 層堆疊
NAND 基礎還是 40nm 製程的 MLC 快閃記憶體
測試得出的 P/E 次數達到了 6000 次，可靠性還不錯
在先前三星的 SSD 全球會議上
Techreport 得知三星有計劃推出 3bit V-NAND
只不過三星在透露消息方面一貫很小氣，就是不肯說具體細節
不過 TR 表示在第二代 V-NAND 發布會上
三星提到了今年底會推出容量密度更高的硬碟
或許指的就是這個 TLC 版的 V- NAND 快閃記憶體
具體命名也不確定
不過按照慣例可能會用 850 或者 850 EVO 這樣的名字