http://udn.com/NEWS/STOCK/STO1/7405859.shtml
【聯合晚報╱記者周品均/台北報導】
2012.10.03 02:54 pm
三星今年在晶圓代工市場布局腳步積極，並且連續兩年大幅拉升資本支出規模，研調
機構拓墣示警，三星明年在晶圓代工市場全面進攻策略，將是衝擊半導體產業的最大變數
，原因即在於三星將把記憶體產能大舉轉進晶圓代工，三星產能大規模提升後，將大幅縮
小與台積電的產能差距，加上包括格羅方德等大廠的來勢洶洶，預估台積電明年在28奈米
製程的市占率將從今年的8成滑落至5成。
三星在半導體市場勢力已逐步由記憶體延伸至晶圓代工，為晶圓代工產業投下震撼彈
，拓墣半導體研究中心副理陳蘭蘭指出，三星明年將全面進攻晶圓代工市場，除了連續兩
年大舉提高資本支出外，三星大舉將記憶體產能轉進晶圓代工將大幅拉升代工產能，今年
三星的代工產能約是台積電的三分之一，預估到明年，雙方的產能差距拉近為二分之一。
特別值得關注的是，三星的12吋晶圓廠產能今年已經超越聯電(2303)和格羅方德(GF)
，三星將記憶體產能轉進代工的挹注下，加上格羅方德也積極擴充高階製程產能，台積電
明年來自產能開出導致低價競爭的壓力升溫，而台積電今年受惠於28奈米需求強勁，營運
不斷創新高，隨著三星的大舉轉進與格羅方德積極切入，28奈米供不應求狀況預料將在明
年緩解，拓墣認為，台積電今年在28奈米製程市占高達8成的榮景難再現。