來源：
http://udn.com/NEWS/FINANCE/FIN3/7583228.shtml
原文：
三星昨（21）日宣布成功試產第1顆導入3D 鰭式場效電晶體（FinFET）的14奈米測試
晶片，進度領先台積電，顯示在蘋果「去三星化」趨勢已定下，三星力拚台積電的野心只
增不減。
韓聯社報導，三星與安謀 （ARM）、益華（Cadence）、明導（Mentor）與新思（
Synopsis）共同合作，成功試產出旗下第1顆採用FinFET技術的14奈米測試晶片。
三星系統晶片部門主管表示，14奈米FinFET製程技術可提升電子裝置效能並降低耗電
量，進一步改善行動環境，這也是IBM之後，第2家搭載安謀處理器架構，試產成功的14奈
米FinFET測試晶片。
晶圓代工行動裝置晶片商機大，FinFET技術可以解決不斷微縮的奈米晶片的漏電問題
。三星原本預計14奈米FinFET於2014年量產，與台積電規劃的16奈米FinFET同步。隨著三
星14奈米FinFET試產晶片推出，半導體業者認為，三星FinFET不排除提前半年量產。
台積電面臨三星來勢洶洶的競爭外，格羅方德9月也宣布推出以FinFET導入的14奈米元
件，預計2013年底進入客戶試產階段，2014年正式量產；聯電則預計2014年試產。
台積電為了防堵競爭對手，預計使用安謀首款64位元處理器「v8」測試16奈米FinFET
製程，預計明年11月推出首款測試晶片，最快2014年量產。台積電南科14廠將作為第1個量
產16奈米FinFET基地，再下一個世代的10奈米FinFET製程，預計於2015年底推出。