【經濟日報╱記者簡永祥／台北報導】
2014.03.03 03:26 am
聯電執行長顏博文。
（聯合報系資料庫）
聯電苦熬一年多的28奈米製程有重大突破，承接先進網通及高階手機晶片的關鍵高介電常
數金屬閘極（HKMG）製程，已獲全球第二大IC設計商博通（Broadcom）認證，第2季開始
接單投片，營運出現大轉機。
目前28奈米全球晶圓代工市場由台積電獨霸，聯電先前一度對28奈米進度保守，隨著相關
製程接單報捷，意味聯電將可分食台積電28奈米製程商機，引爆晶圓雙雄沈寂多時的高階
製程大戰。由於28奈米毛利較高，有助聯電本業大躍進。
聯電高層證實28奈米HKMG製程良率近期顯著提升，但不評論個別客戶認證及接單進度。市
場預期，未來包括高通、聯發科等更多28奈米製程設計的手機晶片，也會陸續轉移部分訂
單至聯電。
高通策略暨營運資深副總裁戴維森（Bill Davidson）日前與台灣媒體舉行視訊記者會時
便透露，高通採取更多元的代工來源是既定政策，當時的談話便暗示一旦聯電28奈米HKMG
良率提升之後，高通將考慮對聯電釋單。
設備商透露，聯電28奈米HKMG去年積極追趕台積電腳步，並採取以「T-Like」模式，爭取
成為台積電客戶的第二供應來源，但進展不如預期，也使聯電去年28奈米製程營收占比還
只是低個位數。
聯電近年因高階製程進度落後台積電，基本面表現平平，上季僅小賺7億餘元，逼近損益
兩平；去年全年純益126億元、每股純益1.01元。今年初聯電執行長顏博文在法說會時，
仍對28奈米HKMG製程進展持保守態度。
圖／經濟日報提供
法人指出，聯電去年即已建置28奈米HKMG約1.5萬片月產能，隨著良率與接單傳出喜訊，
短期內仍難撼動台積電在28奈米的領先優勢，但對聯電而言，意義重大，本業將迎接轉機
。
尤其手機矽智財（IP）授權大廠安謀（ARM）主推28奈米製程架構平台，主攻中低階智慧
型手機，獲得高通和聯發科、博通及邁威爾等手機晶片廠採用，預料第2季開始大量導入
。聯電28奈米HKMG適時切入28奈米需求爆發的時間點，搭配主力製程40奈米和高壓特殊製
程訂單持續強勁，第2季營收將展現強勁爆發力。
聯電上周四（27日）股價跌0.05元、收12.3元。
14奈米加速 縮短差距
【記者簡永祥／台北報導】聯電28奈米製程獲得關鍵性突破，公司同步啟動14奈米FinFET
（鰭式場效電晶體）正式試產前的「風險試產線」建置作業，預計今年底進行風險性試產
，明年下半年量產，希望能縮小與台積電的差距。
據了解，聯電14奈米以下製程採取加入IBM技術開發聯盟，與格羅方德及三星成為同一技
術陣營。
聯電去年即派出工程團隊赴美國參與IBM技術聯盟，並在南科設立研發中心，準備將14奈
米製程導入在聯電南科12A廠生產。
閱讀祕書／HKMG製程
高介電常數金屬閘極製程可以有效降低柵極電容，並能讓電晶體縮小，容納更多電晶體數
，減少漏電並提升效能。
隨著智慧型手機追求更輕薄短小，手機應用處理器效能要求更強大、更省電，這項製程即
成為承接手機晶片及可編輯邏元件主流技術，更被視為邁向鰭式場效電晶（FinFET）等3D
架構的前期指標。 （簡永祥）
【2014/03/03 經濟日報】@ http://udn.com/
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