75奈米1Gb 3V Nand Flash?!
吳敏求指出，高容量的Nor75奈米1Gb 3V Nand Flash在第1季送樣。
到底是3V 還是3D, 你也說清楚點麻??
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旺宏目前開發出的3D NAND Flash，是採用75奈米 BE-SONOS charge-trapping技術，
透過組合8層結構單元，將每個單元記憶體(cell size)面積縮小至 0.0014 (μm)2，
幾乎相等於採用25nm製程的浮閘(floating gate) NAND元件。
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三爽都出到 25nm TLC nand flash... 相同面積, 三倍容量 慘呀!!
作者:
ramper (ramper)
2014-05-01 00:57:00這ID據我觀察常在批評旺宏 搜尋以往文章就可知 不知其心態
作者:
cafopupu (李俊畿㊣大帥哥㊣ ®™)
2014-05-01 02:17:00旺宏不錯啊 子公司就…
作者:
sarau (我是男的)
2014-05-01 02:59:00你沒頭沒尾的發一張文章罵 只會讓人搞不清狀況
作者:
sarau (我是男的)
2014-05-01 03:02:00更何況說不定是記者寫錯 就先罵 會不會太誇張點
作者:
jfsu (水精靈)
2014-05-01 04:15:002010的新聞。這篇paper蠻有趣的~建議可以找來看看
作者: Loy1023 (Loy) 2014-05-01 22:51:00
沒聽過股東自己在唱衰公司的 讓手上股票變壁紙有比較好？
作者: Loy1023 (Loy) 2014-05-01 22:56:00
另外您的資訊需要更新一下 75nm不知道是多久以前的事了
作者:
horb (猴柏)
2014-05-08 02:38:00旺宏的記憶體是垂直推疊上去的 不像一般電路只能做在wafer表面 不過量產又是另ㄧ回事