半導體資本支出創新高 DRAM增幅最大
（中央社記者張建中新竹1日電）研調機構IC Insights 預估，今年全球半導體資本支出
金額將達809億美元，創下歷史新高；其中，DRAM資本支出將激增53%，是增加幅度最大的
產品領域。
今年上半年半導體資本支出大幅增加，IC Insights將今年度半導體資本支出預估金額，
自先前的756億美元，調高到809億美元，較去年增加20%，將一舉刷新歷史新高紀錄。
IC Insights預估，今年動態隨機存取記憶體(DRAM)資本支出金額將達130億美元，較去年
大增53%，將是增加幅度最大的領域；儘管這些支出主要用以推進技術，不過，海力士
(SK Hynix)也將增加產能。
儲存型快閃記憶體(NAND Flash)今年資本支出將達190億美元，仍將高於DRAM的水準，也
將較去年增加33% ，IC Insights認為，NAND Flash的資本支出將主要投入3D NAND Flash
製程技術。
晶圓代工今年資本支出約228億美元，將較去年略增4%，是半導體資本支出金額最多的領
域，所占比重將達28%。1060901
http://www.cna.com.tw/news/ait/201709010035-1.aspx