https://tw.finance.appledaily.com/realtime/20180919/1432948/
出版時間：2018/09/19 18:01
全新晶圓廠在本月初已開始量產96層3D NAND Flash。業者提供
https://i.imgur.com/jRuXfAs.jpg
東芝記憶體公司 (Toshiba Memory Corporation) 與Western Digital公司
今日共同於日本三重縣四日市的6號晶圓廠 (Fab 6) 舉行開幕儀式。
該晶圓廠為新設先進半導體製造廠區，
並設有記憶體研發中心 (Memory R&D Center)。
東芝記憶體公司於2017年2月開始興建6號晶圓廠，
作為生產3D NAND Flash（快閃記憶體）的專用廠區。
東芝記憶體公司與Western Digital已針對沉積 (deposition)
與蝕刻 (etching) 等關鍵生產製程部署先進製造設備，
新晶圓廠在本月初已開始量產96層3D NAND Flash。
3D NAND Flash在企業伺服器、資料中心及智慧型手機的需求不斷成長，
未來幾年這些需求將持續擴大；
為因應此市場趨勢，可望進一步投資擴大產能。
與6號晶圓廠相毗鄰的記憶體研發中心已於今年3月開始營運，
負責研發並推動3D NAND Flash的發展工作。
東芝記憶體公司與Western Digital將持續推動並擴展雙方在記憶體事業的領導地位，
積極開發各項計畫以強化競爭力，推動3D NAND Flash的共同開發，
並根據市場趨勢規劃資本的投入。
東芝記憶體公司社長暨執行長成毛康雄 (Yasuo Naruke) 表示：
「很高興有這個機會能為新一代的3D NAND Flash開拓更廣闊的市場。
6號晶圓廠和記憶體研發中心能讓我們在3D NAND Flash市場中維持領先地位，
藉由與Western Digital的合資事業，
將協助四日市的工廠繼續生產最先進的記憶體。」
Western Digital執行長Steve Milligan同步指出：
「近20年來我們合作無間，帶動了NAND Flash技術的成長和創新。
此外，目前正積極提升96層3D NAND產能，
以因應從消費性、行動應用到雲端資料中心等終端市場的各式商機 。
6號晶圓廠具備先進技術設備，將進一步提升在業界技術領先和成本領導的地位。」
（楊喻斐／台北報導）
東芝記憶體公司於2017年2月開始興建6號晶圓廠，作為生產3D NAND Flash的專用廠區。
業者提供
https://i.imgur.com/SV9IZQT.jpg
該晶圓廠為新設先進半導體製造廠區，並設有記憶體研發中心 。業者提供
https://i.imgur.com/9VQQx3J.jpg
東芝記憶體與Western Digital公司今日共同於日本三重縣四日市的6號晶圓廠 (Fab 6)
舉行開幕儀式。業者提供
https://i.imgur.com/JJOkUht.jpg