※ 引述《sendtony6 (TY)》之銘言：
: ※ 引述《jfsu (水精靈)》之銘言：
: : 原文的推文中，其實多少有提到兩者的差異性。
: : 這樣說好了，DRAM或是其他所謂的記憶體製程，所注重的是〔前段製程〕，
: : 即重視元件的製作。邏輯IC所注重的是〔後段製程〕，也就是金屬連接線之間的處理
: : 例如，使用銅製程或是Low-K的材料減少RC delay，或是使用High-K/Metal-K來減少
: : 電晶體閘極漏電流或是加快切換速度。
: : 台灣的記憶體公司並不會將太多的人力投注於後段部份，畢竟，記憶體產品的重點是在
: : 記憶元件(或是稱為記憶細胞(cell)，如同大家所熟知DRAM的1T+1C的架構。公司會研究
: : 你要用溝渠式(trench)或是堆疊式(stack)去長出好的電容，畢竟，這是DRAM cell的
: : 精華所在，如果連cell都長不好，遑論其他的部份。至於DRAM cell以外的周邊電路
: : 只要可以正常操作就已足夠，因為公司也沒太多錢讓你去燒...。
: 呵，小弟剛好略懂略懂
: 這個問題大概每隔一陣子就會人問
: 然後就不了了之
: 我剛出來混的時候也有過相同的疑問，跑去問在邏輯廠工作15年經驗的學長
: 只得到一個很簡單的答案 : 因為dram layout簡單啊，所以台灣才被打趴
: 那既然這樣，為什麼5毛沒有打趴韓狗人???
: 拿這兩個製程來相比，硬要說誰比較難，其實很像在問岳飛打張飛
: 這個問題要從電腦的架構開始說起，電腦的架構是馮紐曼設計與實現的
: CPU+Dram+硬碟 是這個架構的最根本
: 彼此無法互相取代彼此的功能
: CPU就像工人
: Dram是工人的工作台
: 硬碟是工人的抽屜或倉庫
: 當一個指令來的時候，工人負責運算，運算期間的半成品或結果需要暫時放在工作台上
: 當完成後的成品則是會送到硬碟存起來
: 所以前面有人說 nand flash可以取代dram，只能說那是不可能的事
: 因為你可能沒搞清楚什麼是flash
: nand flash的功能是硬碟的功能
以上，沒意見。
: 有人說dram重前段，邏輯重後段，這個話其實不對，dram幾家大廠早就引進銅製程了
: 真的要來比low k材料，邏輯可能還輸dram(三星有一篇用air gap專利來當low k，好啦，
: 其實美光海力士都有)
DRAM 重前段、邏輯重後段，我覺得這樣說是合適的，DRAM layout 單純也是事實。
應該說 DRAM 重 patterning ; Logic 關心的是 loading effect
DRAM 廠在 2x nm，大約5年前，才有第二家或第三家導入銅製程，而且是買授權的。
說不定還有公司在用阿嚕密 ; 邏輯廠的銅製程..至少都用了15年以上
Air gap..也算先進??最後的 metal 用 key-hole 降低一點點 RC delay 吧，呵呵
三星比較厲害的是 patterning。BL SW 的 Air Spacer、四次曝光圖案的能力以及
Row-Hammer 的測試...
: 所有的介電常數應該沒有比空氣更低了吧
: 我只能說各有千秋，這樣比意義不大
: : 這些製程考量的差義，自然而然就會反應在電路設計上。
: 這個你說反了，其實是因為功能性不同，所以電路設計就會不同，導致製程上有差異
: 因為功能不一樣(一個是工人，一個是工作台)，所以電路設計上邏輯不需要電容，少了一
: 個電容結構，製程上就完全不一樣，就像flash多一個浮動閘極，製程上也完全不一樣
: : (一個使用全新的製程所設計的記憶體產品從design start到Tapeout可能需要8~12個月
: 沒有喔，一個dram世代開發至少要2年
DRAM 會比 Logic 先走到盡頭，可能在目前三星的 1z，目前往多 chip 堆疊來走
: : 相對而言，邏輯產品可能就短的多了)
Logic 後面就是拚錢了，沒錢的不是都退出了??
: : 再者，你也提到一個差異點，好比我們稱這是XX奈米的製程，這些數字:
: : 對邏輯產品而言，指的是電路佈局上的閘極寬度(gate length)
: 呃，其實對一半，xx奈米製程還要考慮電路中相鄰兩條線最短的距離(俗稱: weak point)
: 所以不完全是指STI的寬
邏輯線寬的定義是 Poly length。但從 28 nm以下，有新的定義。
: : 對DRAM產品而言，指的是二分之一的pitch (spacing + width)
^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^
這是對的，DRAM 是用 F: Feature size 來定義世代
: 不是哦，dram的xx奈米指的是cell內電容的面積或是閘極的寬度
^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^ 這還蠻扯的，
定義從2D變3D(面積)
: 因為只有cell越小，能存的數據多工作台才會越大
: : 對Flash產品而言，指的是相鄰兩個浮動閘極(floating gate)的距離
: 好像也不太對。。。Nand flash的xx奈米就是閘極寬
: : 這些都是不同的意義。(搞不好，有些人都分不清上述的區別！)
: 簡單來說，xx奈米都是指在該製程上線寬的極限，只是這個極限值有可能是在STI or 電
: 路 or cell 上
: 不見得都是指電晶體就是了
: : 另外，台積當然可以搞個DRAM製程。別說是DRAM, Flash/PCM/ReRAM也都沒問題，畢竟
: : 這些記憶體產品都是相容於CMOS製程，差在於多幾層光罩而已。(當然啦，多這幾層光
: 罩
: 我只能說概念對了，但是不是只有差在光罩而已
: 你叫台積立馬做一個像三星這樣只有面積16奈米但是高度要1.2um的結構出來
: 你在邏輯理面是不可能看到這種結構
這幾年要挖電容真的不難，機台已經很先進(~1y世代)，買對了基本上就蓋一半了。
DRAM 相對於邏輯還是便宜，要喝牛奶不需要自己養牛，去買就好。
不用犧牲 Logic 很貴的面積，去塞 eDRAM 這是種浪費，而且 1+1 成本大於 2 很多
不然，三星 Logic 號稱 7nm，DRAM 記憶體 10nm(1z)，早就兜再一起了
: 如果那麼簡單，5毛應該早就超英幹美幹韓了
5毛 可能比你想的還厲害，不然美國不會這麼緊張毀滅式的阻止
: : 就能搞得你不要不要的~~)
: : 只是，這要花多少錢？畢竟公司是以賺錢為目的，記憶體市場的代工利潤是不是夠好？
: : 產能利用率高不高？市場在哪邊?....等等許多因素要考慮。韓國，如三星，幾乎是
: : 傾盡國力去support這家公司，光是研發費用可能就遠遠超過台灣所有DRAM廠的某N季
: : 的總營收...
: : 台灣DRAM廠多半只能尋求歐美日的結盟，簽簽技轉，空個產能出來...畢竟現在
: : 要趕上世代的落差已是不可能的事...。
: 我只能說，你想的太簡單了，邏輯可以客製化，dram當然也可以
偷偷告訴你 DRAM 的客製化，如果你知道 mobile DRAM 與 標準型的差別，
多半只在那三層的 BEoL 以及特殊功能的 Periphery，而 Cell 能動的不多。
: 南華亞也都有客製化的商品
: 客製化不見得是要最新的技術
: 總而言之，台灣dram廠會挫敗原因不是因為dram製程簡單，而是因為一開始走的路線就錯
: 了，沒有自主開發(慣老闆只想賺快錢，才會被三爽打趴)
: 後面就只好賺辛苦錢，賺來的錢又拿去買專利，如果對手削價，整個就爆炸了
: (其實三爽的七傷拳自己也是傷很重，只有消費者真的賺到)
: 邏輯廠一開始就是自主開發，所以才會造就gg帝國
: 如果邏輯廠一開始也是靠買專利，搞不好死的比dram還快
: 因為邏輯廠沒單就是死路一條，dram廠還可以作起來放著等價碼好再賣(銀根夠厚的話，
: 所以有富爸爸的南亞還活著)
: 以上如果有錯，歡迎高手指正