三星電子開始量產下一代存儲器MRAM
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三星電子已開始使用代工製程生產磁阻隨機存取記憶體（MRAM：magnetoresistive
random-access memory），這是未來的半導體之一，市場預估MRAM將改變半導體市場的格
局。因為，MRAM克服了SRAM、DRAM、Flash限制，MRAM與DRAM一樣快，並且與NAND般即使
在斷電時也能保持數據。
三星電子於2019年3月6日宣布並發表首次發貨儀式，已開始在基於28奈米全耗盡絕緣體矽
（FD-SOI）工藝的生產線上批量生產和商業化嵌入式MRAM（eMRAM）解決方案，在
Giheung Campus設立鑄造生產線。
該解決方案解除了在數據記錄期間擦除數據的需要，並且實現了比傳統快閃記憶體處理快
約1000倍的寫入速度。三星表示，由於它在電源關閉時保存儲存的數據並且不使用額外的
備用電源，因此它還具有出色的電源效率。
三星電子將FD-SOI工藝與嵌入式設計技術相結合。在FD-SOI工藝中，矽晶片覆蓋有絕緣膜
，在頂部形成電晶體(transistor)。其特徵在於在電晶體工作期間產生的漏電流顯著減少
。該公司在FD-SOI流程中增加了嵌入式存儲器技術。嵌入式記憶體技術是一種記憶體模組
，用於系統半導體中的信息儲存，如微控制器單元（MCU）和小型電子設備中使用的片上
系統（SoC）。
三星電子表示，該解決方案結構簡單，可以通過在當前基於邏輯流程的設計中添加最少層
數來實現，從而減輕需求公司對進行新設計和降低生產成本的負擔。三星計劃擴展其嵌入
式記憶體解決方案，從今年開始生產1 Gbe MRAM測試晶片開始。三星電子計劃明年(2020)
建立18-nm FD-SOI eMRAM流程。